VNP35N07 时间：2025/7/23 4:32:36 阅读：5

VNP35N07 是一款由 Vishay（威世）公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用，例如电源转换、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等。其设计提供了低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，有助于提高系统效率并减少功率损耗。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：75V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极连续电流（ID）：35A（@ TC = 25°C）
　　功耗（PD）：100W
　　导通电阻 RDS(on)：最大 7.5mΩ（@ VGS = 10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220AB 或 TO-263（表面贴装）

特性

VNP35N07 MOSFET 的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，它具有高电流承载能力和良好的热性能，适合用于高功率密度的设计。该器件采用了先进的沟槽技术，提供优异的开关性能，适用于高频应用。VNP35N07 还具备良好的栅极电荷特性，有助于减少开关损耗，从而提升转换效率。此外，其宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C) 使其适用于严苛环境条件下的应用。
　　该 MOSFET 还具有较强的耐用性和抗干扰能力，适合用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中。其封装形式（如 TO-220AB 或 TO-263）也便于散热设计和 PCB 布局，提升了系统的稳定性和可靠性。

应用

VNP35N07 MOSFET 主要用于各种高功率电子系统中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动、电源管理系统、电池充电器以及负载开关等应用。由于其高效率和高可靠性，该器件在工业自动化设备、汽车电子系统（如电动助力转向、起停系统等）、通信设备电源模块以及消费类电子产品（如笔记本电脑适配器、电源供应器等）中均有广泛应用。