时间：2025/12/24 19:54:38
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VNP28N04L是一款由STMicroelectronics制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高效率的电源管理应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力。VNP28N04L的典型应用场景包括电机控制、电源转换器、电池充电器以及工业自动化设备等。该MOSFET采用TO-220AB封装，具备良好的热管理和电气性能，适用于需要高可靠性和高性能的工业和汽车应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：35mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
VNP28N04L具备多项优异特性，使其在功率MOSFET市场中具有竞争力。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升整体系统效率。其次，该器件的最大漏源电压为40V，适用于中等功率的DC-DC转换、电机驱动以及负载开关应用。此外，VNP28N04L的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度。
该MOSFET采用STMicroelectronics先进的TrenchFET技术，能够在高温度环境下稳定工作，且具备良好的热稳定性。其封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能，适合安装在散热器上以提高热管理能力。VNP28N04L还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性。
此外，VNP28N04L的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计，包括由微控制器直接驱动。这使得该器件在多种应用场景中都具有良好的适用性。
VNP28N04L广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业自动化控制系统中的电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统、电源模块、负载开关以及电源管理单元。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等应用。由于其具备较高的可靠性和良好的热性能，VNP28N04L也常用于高要求的工业设备中，如伺服电机控制、UPS（不间断电源）、光伏逆变器以及工业机器人等。此外，在消费类电子产品中，该器件可用于高功率LED照明驱动、电源适配器以及电池充电设备等场景。
IRF3205, STP30NF10, FDP3632, NTD4858N
