时间：2025/4/28 10:08:54
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VND830SP 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用小型 SOT-23 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度，适用于各种便携式设备和空间受限的应用场景。其典型应用场景包括负载开关、同步整流器、DC-DC 转换器以及电池供电的电子设备。
VND830SP 的设计注重效率和性能，在较低电压范围内提供优异的导通特性和稳定性，使其成为许多低功耗系统中的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（Rds(on)）：90mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
栅极阈值电压：1.5V（典型值）
总功耗：380mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
VND830SP 具有以下关键特性：
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高开关速度，适合高频应用环境。
3. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间，特别适合对尺寸要求严格的便携式产品。
4. 宽工作温度范围，适应多种极端环境条件。
5. 栅极驱动简单，与 CMOS 和 NMOS 输出兼容。
6. 较低的栅极电荷，能够实现高效的开关操作。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
VND830SP 广泛应用于以下领域：
1. 手机和可穿戴设备等便携式电子产品的负载开关。
2. 同步整流电路，用于提升 DC-DC 转换器的效率。
3. 电池管理系统的保护开关。
4. LED 驱动器中的功率级元件。
5. 低电压电机控制及小型继电器驱动。
6. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
VNQ20SP, BSS138, AO3400
