时间：2025/5/8 11:25:38
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VND7140AJTR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于各种高效率功率转换应用。其封装形式为 TO-263（D2PAK），能够提供良好的散热性能和电气特性。
这款 MOSFET 广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域，能够满足现代电子设备对高性能功率管理的需求。
型号：VND7140AJTR
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 VDS：60V
最大栅源电压 VGS：±20V
最大连续漏极电流 ID：40A
导通电阻 RDS(on)：8.5mΩ @ VGS=10V
总功耗：115W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-263 (D2PAK)
VND7140AJTR 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，可有效减少传导损耗并提高系统效率。
2. 较高的最大漏源电压 VDS 和最大连续漏极电流 ID，使其适用于广泛的功率应用。
3. 快速开关性能，支持高频操作，降低开关损耗。
4. 高温工作能力，能够在极端环境下保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 封装采用 TO-263（D2PAK），具备出色的散热性能，便于 PCB 设计和安装。
这些特性使 VND7140AJTR 成为高效率功率转换和开关应用的理想选择。
VND7140AJTR 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等，用于计算机、通信设备和其他电子装置。
2. 电机驱动：适用于家用电器、工业设备和消费类电子产品中的直流电机控制。
3. 负载切换：在汽车电子和便携式设备中用于电源管理和负载保护。
4. 电池管理系统：用于电动汽车和储能系统的电池充放电控制。
5. LED 驱动器：为高功率 LED 照明提供高效的电流调节。
VND7140AJTR 的高效能和可靠性使其成为众多功率管理应用的核心组件。
VND7140ATR, IRFZ44N, FDP55N06L
