时间：2025/4/28 21:09:11
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VND5T100LAJTR-E 是一款N沟道增强型MOSFET，采用TO-263-3封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种功率转换应用场合。
这种MOSFET主要用于电源管理电路中，例如DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。其出色的电气特性使得它在效率和散热方面表现出色。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：5.6A
导通电阻（典型值）：0.04Ω
栅极电荷：7nC
输入电容：1150pF
总功耗：38W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输，降低了发热损失。
2. 快速开关能力减少了开关损耗，适合高频操作环境。
3. 高雪崩能量耐受能力增强了器件的鲁棒性，使其能够在恶劣条件下稳定运行。
4. 小巧的TO-263-3封装便于安装，并提供优秀的散热路径。
5. 工作温度范围宽广，适应各种工业和汽车级应用需求。
6. 符合RoHS标准，环保设计满足全球市场准入要求。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流功能。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 汽车电子系统中的负载控制开关。
4. 电池保护电路中的过流保护开关。
5. 各类电机驱动电路中的功率输出级。
6. 充电器和适配器中的功率调节单元。
VND5T100LAE-E, VND5T100LAHTR-E
