时间：2025/5/10 19:42:08
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VND5T100AJTR-E 是一款 N 沣道通的功率 MOSFET，采用 TO-263 封装。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种电源管理应用。其主要用途包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池保护等场景。
该型号属于逻辑电平驱动系列，支持较低的栅极驱动电压，非常适合便携式设备和其他需要高效能表现的应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻（Rds(on)）：0.27Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：28nC（典型值）
总功耗：1.2W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
VND5T100AJTR-E 具备以下显著特点：
1. 低导通电阻，能够减少导通损耗并提高整体效率。
2. 支持低至 4.5V 的栅极驱动电压，适应逻辑电平控制需求。
3. 快速开关性能，减少开关损耗，适合高频应用。
4. 内置反向二极管，提供续流路径以增强可靠性。
5. 高雪崩能力，可承受瞬态过压事件，增加系统鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保设计，满足国际法规要求。
该功率 MOSFET 广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流元件。
2. 负载开关和配电电路中的电子保险丝功能。
3. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护和均衡控制。
4. 小型电机驱动电路中的功率级组件。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输开关。
6. 消费类电子产品中的电源管理单元（PMU）。
