时间：2025/5/8 19:11:24
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VND5T050AKTR-E 是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263-3封装形式。该器件适用于多种电力电子应用场合，例如开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等。其低导通电阻特性可以有效降低功率损耗，提高系统效率。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：17A
导通电阻（典型值）：4.8mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=9ns，toff=25ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
VND5T050AKTR-E 具有较低的导通电阻，这使得它在高电流应用中表现出色。同时，该器件具备快速的开关速度，从而减少了开关损耗。此外，它的高雪崩击穿能力和高可靠性设计使其非常适合于要求严格的工作环境。另外，由于采用了无铅封装工艺，符合RoHS标准，因此也适合环保需求较高的应用场景。
具体特性如下：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗。
2. 快速开关性能，支持高频操作。
3. 高雪崩击穿能力，增强了系统的鲁棒性。
4. TO-263-3封装，便于安装和散热管理。
5. 广泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
这款MOSFET主要应用于需要高效能功率切换的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关元件。
3. 负载开关用于动态分配电流路径。
4. 各类电机驱动电路中的功率输出级。
5. 电池管理系统中的保护开关。
6. 工业控制设备中的功率控制单元。
VND5T050AKTR-E 凭借其优异的电气特性和稳定性，在上述应用中能够提供更高的效率和更长的使用寿命。
VND5T050AETR-E, IRF540N, FDP057AN
