时间：2025/5/7 16:34:29
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VND5E160AJTR-E 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件主要用于开关应用和功率管理领域，具有较低的导通电阻和较高的效率。它适合在汽车电子、工业控制以及其他高可靠性应用中使用。
VND5E160AJTR-E 的设计目标是提供一种能够在高压环境下工作的功率半导体器件，同时确保良好的热性能和电气稳定性。
最大漏源电压：160V
连续漏极电流：5A
导通电阻：80mΩ（典型值）
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：40W
工作结温范围：-55℃~175℃
VND5E160AJTR-E 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高击穿电压（160V），能够适应更广泛的电压应用场景。
3. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用，具备高可靠性和稳定性。
4. 支持高频率开关操作，适合现代高频电源转换器设计。
5. 内部集成保护机制，如过流保护和热关断功能，增强了器件的安全性。
6. 采用了 TO-263 封装，具有优良的散热性能和机械强度。
VND5E160AJTR-E 可广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子中的电机驱动和 DC-DC 转换器。
2. 工业设备中的开关电源和负载切换。
3. LED 照明驱动电路。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. 各种需要高效率功率转换的场景。
VND5E160ATR-E, VND5E160AJT-E
