时间：2025/6/10 12:09:36
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VND5160AJTR-E 是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用TO-277A封装形式。这款功率MOSFET主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域，能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。
该器件以其低导通电阻和高击穿电压而著称，能够在高频条件下保持较低的功耗，同时具备良好的热稳定性和快速开关特性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：138A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：92nC
总电容：1960pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
VND5160AJTR-E 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高击穿电压允许其在较高的电压环境下运行，增加了应用灵活性。
3. 快速开关能力使其适用于高频电路设计，减少开关损耗。
4. 小巧的封装形式使得它非常适合空间受限的应用场景。
5. 出色的热稳定性确保了其在高温环境下的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
这款MOSFET广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电动汽车和混合动力汽车中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 大功率LED照明系统的驱动电路。
6. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
VND5160AJTR-G, IRFB4110TRPBF, FDP5160
