时间：2025/7/23 5:39:16
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VNB35NV04TR-E 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的智能功率模块（IPM），主要用于高电压和高电流的应用场合。该模块集成了功率MOSFET和驱动电路，适用于电机控制、电源转换和工业自动化等应用。VNB35NV04TR-E采用紧凑的封装设计，提供高效的功率处理能力和出色的热管理性能，使其成为工业和汽车应用中的理想选择。
类型：智能功率模块
制造商：STMicroelectronics
型号：VNB35NV04TR-E
最大漏源电压（VDS）：400V
最大漏极电流（ID）：15A
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：PowerSSO-36
内置驱动器：是
过热保护：是
过流保护：是
欠压保护：是
VNB35NV04TR-E是一款高度集成的智能功率模块，内置了高性能的MOSFET和驱动电路。该模块具有多种保护功能，包括过热保护、过流保护和欠压保护，以确保在各种工作条件下的可靠性和稳定性。其紧凑的PowerSSO-36封装设计不仅节省了空间，还提高了散热效率，使其能够适应高功率密度的应用需求。此外，VNB35NV04TR-E具有低导通电阻和快速开关特性，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
在电气性能方面，VNB35NV04TR-E的最大漏源电压为400V，最大漏极电流为15A，能够在宽广的温度范围内稳定工作。其驱动电路设计优化了栅极驱动电压和电流，确保MOSFET的快速和可靠开关。此外，模块的热管理功能通过集成的温度传感器实现，能够在温度过高时自动关闭模块，防止损坏。
VNB35NV04TR-E还支持多种工作模式，适用于不同的应用需求。其内置的保护机制能够有效防止常见的故障情况，如短路、过载和电源故障，从而延长系统的使用寿命。
VNB35NV04TR-E广泛应用于需要高功率和高可靠性的电子系统中，例如交流电机驱动器、变频器、工业自动化设备、电源转换系统以及电动汽车充电设备。该模块的多功能性和高效性使其成为现代工业和汽车电子系统中的关键组件。
STGIPN4H60L, FSBB20CH60DF, VNF100AM50-E
