时间：2025/4/29 11:18:29
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VN920DB5TR-E 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263-3 (DPAK) 封装。该器件设计用于中高电压应用场合，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适用于各种电源管理、电机驱动以及负载开关场景。
其耐压高达 90V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：90V
连续漏电流：14A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
栅极电荷：37nC（典型值）
总电容：1340pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263-3 (DPAK)
1. 高耐压能力，适合多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，有效降低功耗，提升系统效率。
3. 快速开关特性，支持高频应用。
4. 较宽的工作温度范围，适应恶劣环境下的使用需求。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 稳定性高，可靠性强，适合长时间运行的设备。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换部分。
2. 电机驱动电路，特别是小型直流电机或步进电机控制。
3. 负载开关和保护电路。
4. LED 驱动器及背光控制。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. 各类工业自动化控制设备中的信号切换与功率传输。
VN920L, IRF540N, FDP17N10Z
