时间：2025/5/7 9:34:40
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VN610SP是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用小型SOT23-3封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，广泛用于便携式设备、消费类电子产品的负载开关、电池保护电路以及DC-DC转换器等应用中。其设计旨在提供高效的功率转换和较小的电路板占用空间。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.2A
导通电阻：150mΩ
栅极阈值电压：1.8V
功耗：410mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
VN610SP具有较低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。同时，它具备较快的开关速度，能够适应高频操作环境。
此外，该器件在低电压条件下仍能保持良好的开启性能，非常适合电池供电的应用场景。SOT23-3的小巧封装也使其成为对空间要求较高的设计的理想选择。
VN610SP主要应用于各种需要高效功率开关的场合，例如手机和平板电脑中的负载开关、锂电池保护电路、电源管理模块中的同步整流器，以及小型DC-DC转换器等。由于其低导通电阻和小尺寸特点，这款MOSFET特别适合于追求高密度集成和低功耗的系统设计。
VN610S, BSS138, SI2302DS
