VN460SP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装,适用于多种电源管理应用。VN460SP具有低导通电阻和快速开关特性,使其非常适合于空间受限的电路设计。
该器件通常用于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动器以及其他需要高效能功率开关的应用场景。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:1.2A
导通电阻(典型值):0.75Ω
栅极阈值电压(典型值):1.8V
功耗:290mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
VN460SP具有非常低的导通电阻,从而降低了功率损耗并提升了效率。
其小型SOT-23封装非常适合在紧凑型设计中使用。
该器件具备出色的热稳定性,在较宽的工作温度范围内表现稳定。
VN460SP还具有快速开关性能,适合高频应用。
此外,它拥有良好的电气保护能力,包括过流保护和短路耐受性。
VN460SP广泛应用于消费电子领域,例如手机充电器、便携式设备、音频设备等。
它也常用于计算机及外设中的负载开关和电源管理模块。
工业应用方面,VN460SP可用于小型电机控制、LED驱动以及各种传感器接口。
另外,它也可用作电池保护开关或在低功率逆变器中充当关键元件。
VN461SP
IRLML6344TRPBF
BSS138
FDC656B