类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-123FL
　　标称齐纳电压：6.8V
　　齐纳电压容差：±5%
　　最大齐纳阻抗：10Ω
　　测试电流：5mA
　　最大功率耗散：500mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　极性：单齐纳
　　反向漏电流：≤ 1μA（在1V反向电压下）
　　峰值脉冲功率：500W（8/20μs波形）

VMZT6.8N齐纳二极管的核心特性之一是其高精度的电压稳定性，在标准测试条件下能够提供非常接近6.8V的稳定输出电压，且在负载变化和温度波动的情况下仍能维持较小的偏差。这得益于其内部半导体结构优化和先进的掺杂工艺，使得击穿特性更加陡峭，动态阻抗较低，从而有效抑制电压波动。该器件的最大齐纳阻抗仅为10Ω，在5mA的测试电流下表现出优异的稳压能力，适合用作模拟电路中的基准源或数字系统的电平钳位元件。
　　另一个显著特点是其SOD-123FL超小型表面贴装封装，外形尺寸仅为2.1mm × 1.3mm × 1.1mm，极大节省PCB空间，同时具备良好的热传导性能，有助于将工作时产生的热量迅速传递至PCB焊盘，提升长期运行的可靠性。此外，该封装符合RoHS环保标准，并支持自动贴片工艺，适用于大规模自动化生产流程。
　　VMZT6.8N还具备出色的温度稳定性，其电压温度系数经过优化，在宽温范围内变化较小。对于需要在恶劣环境（如工业现场或车载应用）中工作的系统而言，这种特性至关重要。器件可在-55°C到+150°C的结温范围内正常工作，确保极端条件下的功能完整性。同时，它具有较强的瞬态过压承受能力，可承受高达500W的8/20μs浪涌脉冲，使其在静电放电（ESD）和瞬态干扰防护方面表现良好，常被用于接口保护电路中作为箝位元件。
　　此外，该器件具有低反向漏电流特性，在未达到击穿电压前几乎不导通，减少了待机状态下的功耗，提升了整体能效。这些综合性能使VMZT6.8N成为众多低压稳压与保护应用的理想选择。

VMZT6.8N主要应用于需要精确电压参考和过压保护的电子电路中。在电源管理系统中，它常被用作反馈回路中的稳压元件，以确保输出电压的稳定性，尤其是在DC-DC转换器或LDO稳压器的辅助电路中发挥关键作用。此外，由于其快速响应特性和低动态阻抗，该器件也广泛用于模拟信号链路中作为电压钳位器，防止输入信号超出ADC或其他敏感器件的耐受范围。
　　在数字系统中，VMZT6.8N可用于电平转换和总线保护，例如I2C、SPI或USB接口线路中，用来抑制因噪声或意外插拔引起的电压尖峰，提高系统抗干扰能力和可靠性。在工业控制领域，该器件常集成于传感器信号调理模块中，为前端放大器提供稳定的偏置电压或保护后续电路免受瞬态高压损伤。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备也广泛采用VMZT6.8N，利用其小尺寸和高可靠性实现紧凑化设计。此外，在汽车电子系统中，尽管非车规认证版本不适用于主安全系统，但仍可用于部分次级电子模块的电压监测与保护功能。总之，该器件凭借其高精度、小体积和良好热性能，适用于多种中低功率稳压与保护场景。

PMBZT6.8N, MMBZ5237B, BZT52C6V8