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VMO650-01F 发布时间 时间:2025/3/28 9:03:49 查看 阅读:9

VMO650-01F是一款高精度的电压监控芯片,广泛应用于电源管理领域。该芯片主要用于监测系统电压,并在电压超出设定范围时触发报警或保护机制。其设计注重低功耗和高可靠性,适合便携式设备、工业控制以及通信设备等对电压稳定性要求较高的场景。
  该芯片内置比较器和参考电压源,能够实现快速响应,并提供多种输出模式以适配不同的应用需求。此外,VMO650-01F还具备可调节的迟滞功能,从而有效避免因电压波动引起的误触发。

参数

工作电压:2.7V至5.5V
  阈值电压:1.1V(典型值)
  迟滞电压:40mV(典型值)
  静态电流:1μA(最大值)
  输出类型:开漏输出
  工作温度范围:-40℃至+85℃
  封装形式:SOT-23

特性

VMO650-01F的核心特性在于其超低功耗的设计,静态电流仅为1μA,非常适合电池供电的应用场合。
  该芯片具有良好的温度稳定性,在整个工作温度范围内,阈值电压的变化极小,确保了监控的精确性。
  通过外接电阻分压网络,用户可以灵活设置监控电压点,适应不同电路的需求。
  此外,VMO650-01F支持可调迟滞功能,允许用户根据具体应用场景优化抗噪性能,减少不必要的触发动作。
  芯片的小型化封装SOT-23使其易于集成到空间受限的设计中,同时降低了整体解决方案的成本。

应用

适用于各种需要电压监控的电子设备。
  在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,该芯片可用于监测电池电压,确保设备在安全范围内运行。
  在工业自动化领域,它被用于监控电源电压,防止因电压异常导致系统故障。
  通信设备中,VMO650-01F可以作为电压保护的一部分,保障数据传输的稳定性和可靠性。
  此外,它还可用于汽车电子中的电池管理系统,为车辆电气系统的正常运行提供保障。

替代型号

VMO650-02F
  VMO650-03F
  VMO650-04F

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VMO650-01F参数

  • 标准包装2
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C690A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.8 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)6V @ 130mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2300nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds59000pF @ 25V
  • 功率 - 最大2500W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳Y3-DCB
  • 供应商设备封装Y3-DCB
  • 包装散装
  • 其它名称Q1434129VM0650-01F