时间：2025/8/5 14:10:39
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VMO380-02F 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等电力电子领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：120A
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerPAK SO-8 双面散热
功耗：3.6W
VMO380-02F MOSFET 采用了先进的沟槽技术，使其在相同的封装尺寸下实现更低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。
该器件的低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）使其在高频应用中表现出色，减少了开关损耗。
其封装形式为 PowerPAK SO-8 双面散热，具有优异的热性能，能够在高电流负载下保持稳定的工作温度。
此外，VMO380-02F 具有较高的电流能力和优异的热稳定性，适用于高功率密度的设计需求。
由于其高可靠性及优异的电气性能，该器件非常适合用于汽车电子、工业控制和通信设备等要求苛刻的应用场景。
VMO380-02F 常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统、电源管理模块以及各类高功率负载开关电路中。
在汽车电子系统中，它可作为车载电源转换器或电机控制器中的关键开关元件。
在工业应用中，该 MOSFET 可用于变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等设备。
此外，VMO380-02F 也广泛应用于服务器电源、笔记本电脑适配器和其他高性能计算设备的电源管理部分。
Si444N10DY-T1-GE3, IRF6723TRPBF, SQJA4423EL
