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VMK90-02T2 发布时间 时间:2025/12/28 4:18:55 查看 阅读:13

VMK90-02T2是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅整流二极管阵列器件,广泛应用于需要紧凑型封装和高可靠性整流功能的电子电路中。该器件集成了两个独立的肖特基势垒二极管,采用共阴极配置(Common Cathode Configuration),适合在高频开关电源、DC-DC转换器、反向电压保护以及信号解调等应用中使用。VMK90-02T2采用微型SOT-23(也称SC-89)封装,具有非常小的占位面积,适用于空间受限的便携式电子设备,如智能手机、可穿戴设备、物联网模块以及其他消费类电子产品。
  该器件的主要优势在于其低正向压降(VF),这有助于减少导通损耗并提高系统整体效率。同时,由于采用了肖特基技术,其反向恢复时间几乎可以忽略不计,特别适合用于高频工作环境,避免了传统PN结二极管在快速开关过程中产生的显著反向恢复电流问题。此外,VMK90-02T2具备良好的热稳定性和可靠性,在规定的温度范围内能够持续稳定运行,满足工业级和商业级应用需求。

参数

产品类型:双通道肖特基二极管阵列
  配置:共阴极
  最大重复峰值反向电压(VRRM):30 V
  最大直流阻断电压(VR):30 V
  平均整流电流(IO):300 mA(每通道)
  峰值浪涌电流(IFSM):1.5 A
  正向压降(VF):典型值420 mV @ 100 mA,最大值650 mV @ 200 mA
  反向漏电流(IR):最大值20 μA @ 25°C,最大值500 μA @ 125°C
  反向恢复时间(trr):< 1 ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23(SC-89)
  安装方式:表面贴装(SMD)
  引脚数:3

特性

VMK90-02T2的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术,这种技术利用金属-半导体结而非传统的PN结来实现整流功能。相比于普通硅二极管,肖特基二极管具有更低的正向导通压降,从而显著降低功耗,提高能效,尤其在低电压、大电流的应用场景中表现优异。例如,在电池供电设备中,即使几十毫伏的压降节省也能带来明显的续航提升。此外,由于没有少数载流子的积累效应,肖特基二极管的开关速度极快,反向恢复时间通常小于1纳秒,几乎不存在反向恢复电荷(Qrr),因此在高频开关电路中不会产生额外的开关损耗或电磁干扰(EMI)尖峰,提高了系统的稳定性与电磁兼容性。
  该器件为双二极管共阴极结构,意味着两个阳极引脚分别独立,而阴极共用一个引脚。这种配置常用于双路输出的同步整流、输入端反接保护或多路电源轨的隔离与钳位设计中。例如,在USB接口或多个电源路径切换电路中,可用作防倒灌二极管以防止电流回流损坏上游电路。共阴极结构还便于PCB布局布线,减少了接地回路复杂度,并有助于热管理优化。
  SOT-23小型化封装使得VMK90-02T2非常适合高密度组装工艺,支持自动贴片和回流焊,符合现代电子制造流程要求。尽管体积小巧,但其热性能经过优化,能够在+150°C的最高结温下长期工作,体现了良好的鲁棒性。器件符合RoHS环保标准,不含铅(Pb-free),并且通过了IEC 61249-2-21的卤素含量认证,适用于绿色电子产品设计。此外,Vishay对产品质量控制严格,器件经过老化筛选和可靠性测试,确保在各种严苛环境下仍保持一致性能。

应用

VMK90-02T2因其小型化、高效能的特点,被广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和智能手表,它常用于电池充电管理电路中的防反接保护、多电源路径选择及负载开关后的电压钳位。在这些应用中,低正向压降有助于最大限度地减少能量损失,延长电池使用寿命。
  在DC-DC转换器特别是降压(Buck)和升压(Boost)拓扑中,VMK90-02T2可用于续流(Freewheeling)或同步整流辅助二极管,配合主功率MOSFET工作,提升转换效率。虽然主功率部分通常使用更大电流能力的肖特基或MOSFET进行整流,但在轻载或待机模式下,这类微型双二极管可有效处理小电流路径,维持系统效率。
  通信模块和无线传感器网络节点中,VMK90-02T2可用于射频前端电路的静电放电(ESD)保护、信号整流或包络检波。其快速响应特性使其能够适应高频信号处理需求。
  工业控制和汽车电子领域中,该器件可用于传感器信号调理电路中的箝位与保护,防止瞬态电压冲击损坏敏感IC。此外,在LED驱动电路中也可作为防止反向电压施加于LED两端的保护元件,避免LED因反偏而击穿。
  由于其高可靠性和宽温度范围,VMK90-02T2也适用于医疗设备、智能家居控制器和物联网网关等对长期稳定性要求较高的应用场景。

替代型号

[
   "VBAT54C,015",
   "BAT54C",
   "SMS7621",
   "DMG2400U",
   "MAX22106"
  ]

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VMK90-02T2参数

  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C83A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 3mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs450nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds15000pF @ 25V
  • 功率 - 最大380W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳TO-240AA
  • 供应商设备封装TO-240AA
  • 包装散装