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VMC100EL16DR2 发布时间 时间:2025/9/2 12:34:42 查看 阅读:10

VMC100EL16DR2 是一款由 Vishay Siliconix(威世科技)生产的功率MOSFET晶体管。这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,主要用于高效率电源管理应用,例如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等。VMC100EL16DR2采用先进的TrenchFET技术,具备低导通电阻、高功率密度和快速开关性能,适用于高频率开关应用。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):16A
  导通电阻(Rds(on)):16mΩ @ Vgs=10V
  栅极电压(Vgs):±20V
  功率耗散(Pd):2.5W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:PowerPAK SO-8

特性

VMC100EL16DR2 的核心优势在于其出色的导通性能和开关效率。该器件采用了Vishay的TrenchFET技术,使得其在100V耐压等级下具备极低的导通电阻(Rds(on))——仅为16毫欧姆,从而显著降低了导通损耗。这种低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现尤为出色,能够有效减少发热并提高系统效率。
  此外,VMC100EL16DR2具备快速开关能力,适合用于高频DC-DC转换器等应用,有助于减小外部电感和电容的尺寸,从而提高整体电源模块的功率密度。该器件的栅极驱动电压范围为10V至20V,具备较强的抗干扰能力和稳定性。
  从封装角度来看,该MOSFET采用PowerPAK SO-8封装,具有良好的热管理和空间利用率,适用于表面贴装(SMT)工艺,便于自动化生产和散热设计。同时,该封装具备良好的机械强度和电气性能,适用于工业级和汽车级应用环境。
  最后,VMC100EL16DR2具有宽广的工作温度范围(-55°C至175°C),可在极端环境条件下稳定运行,适合用于高温或低温工作场景,例如汽车电子、工业控制和户外设备等。

应用

VMC100EL16DR2 适用于多种高功率和高效率的电子系统中,主要包括:高效率DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达控制电路、电池管理系统(BMS)、电源管理单元(PMU)以及工业自动化设备。此外,该器件也广泛应用于服务器电源、通信设备、电动汽车(EV)充电模块、太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等对效率和可靠性要求较高的场景。

替代型号

SiSS16DN, SQM160EL, FDS6680, IRF7413

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