时间：2025/9/2 12:34:42
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VMC100EL16DR2 是一款由 Vishay Siliconix（威世科技）生产的功率MOSFET晶体管。这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，主要用于高效率电源管理应用，例如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等。VMC100EL16DR2采用先进的TrenchFET技术，具备低导通电阻、高功率密度和快速开关性能，适用于高频率开关应用。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：16mΩ @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerPAK SO-8
VMC100EL16DR2 的核心优势在于其出色的导通性能和开关效率。该器件采用了Vishay的TrenchFET技术，使得其在100V耐压等级下具备极低的导通电阻（Rds(on)）——仅为16毫欧姆，从而显著降低了导通损耗。这种低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现尤为出色，能够有效减少发热并提高系统效率。
此外，VMC100EL16DR2具备快速开关能力，适合用于高频DC-DC转换器等应用，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而提高整体电源模块的功率密度。该器件的栅极驱动电压范围为10V至20V，具备较强的抗干扰能力和稳定性。
从封装角度来看，该MOSFET采用PowerPAK SO-8封装，具有良好的热管理和空间利用率，适用于表面贴装（SMT）工艺，便于自动化生产和散热设计。同时，该封装具备良好的机械强度和电气性能，适用于工业级和汽车级应用环境。
最后，VMC100EL16DR2具有宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），可在极端环境条件下稳定运行，适合用于高温或低温工作场景，例如汽车电子、工业控制和户外设备等。
VMC100EL16DR2 适用于多种高功率和高效率的电子系统中，主要包括：高效率DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达控制电路、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及工业自动化设备。此外，该器件也广泛应用于服务器电源、通信设备、电动汽车（EV）充电模块、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等对效率和可靠性要求较高的场景。
SiSS16DN, SQM160EL, FDS6680, IRF7413
