类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（ID）：4.1 A
　　漏极-源极电压（VDS）：20 V
　　栅极-源极电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻（RDS(on)）：@4.5V VGS，145 mΩ；@2.5V VGS，220 mΩ
　　功耗（PD）：2.5 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

VM7004.A 具备多项优异的电气特性和物理特性，适用于高性能电源管理应用。其低导通电阻 RDS(on) 在 4.5V VGS 条件下仅为 145mΩ，有效降低了导通损耗，提高了系统的能量转换效率。即使在较低的栅极电压（如 2.5V）下，RDS(on) 仍保持在 220mΩ，这使得该器件在低电压控制系统中也能保持良好的性能。
　　该 MOSFET 的漏极电流额定值为 4.1A，能够承受较高的负载电流，适用于多种电源管理电路。其 20V 的漏极-源极电压额定值确保了该器件在低压应用中具有较高的安全裕量，减少了因电压波动导致的失效风险。
　　VM7004.A 支持 ±12V 的栅极-源极电压，具有良好的栅极驱动兼容性，可与多种控制器和驱动电路配合使用。其 SOT-23 封装形式具有较小的体积，适用于空间受限的设计，同时具备良好的热性能，能够有效散热以维持稳定的工作状态。
　　此外，该器件的功耗为 2.5W，在正常工作条件下可以保持较低的温度上升，从而提高系统的长期可靠性。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应了广泛的工业环境应用需求，能够在极端温度条件下稳定运行。

VM7004.A 主要用于需要高效能和高可靠性的低压功率管理电路中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路以及便携式电子设备中的功率控制电路。由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件在需要高效率和小型化设计的电源管理系统中表现出色。
　　在 DC-DC 转换器中，VM7004.A 可作为主开关器件，用于实现高效的电压转换。在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于充放电控制和保护电路，确保电池的安全运行。在负载开关应用中，它能够实现快速的开关控制，减少静态电流损耗。同时，该器件也适用于低电压电机驱动电路，提供稳定的功率输出。

Si2302DS, AO3400A, FDN304P