型号：VM21455
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：5.4 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：20 A
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=4.5V）：18 mΩ
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=2.5V）：26 mΩ
　　栅极电荷（Qg）：5.5 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：425 pF（典型值）
　　开启延迟时间（td(on)）：4 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：14 ns
　　阈值电压（VGS(th)）：0.7 V ~ 1.2 V
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

VM21455采用Vishay先进的TrenchFET技术，实现了超低导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，是便携式和高密度电源系统的理想选择。其核心优势之一在于极低的RDS(on)，在VGS = 4.5V时仅为18mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它直接延长了续航时间。同时，在VGS = 2.5V的低压驱动条件下仍能保持26mΩ的低导通电阻，说明该器件对现代低电压逻辑信号具有良好兼容性，可用于由3.3V或更低电压微控制器直接驱动的应用场景。
　　该器件的栅极电荷（Qg）仅5.5nC，意味着在高频开关应用中所需的驱动能量非常小，进一步降低了驱动电路的负担和整体系统功耗。输入电容为425pF，配合快速的开关时间（开启延迟约4ns，关断延迟约14ns），使得VM21455非常适合用于高频DC-DC转换器、同步整流等要求快速响应的拓扑结构。此外，其较小的封装尺寸SOT-23不仅节省PCB面积，还便于自动化贴片生产，提高了制造效率。
　　VM21455具备出色的热稳定性与可靠性，在+150°C的最高结温下仍可正常工作，适合在高温环境中运行。器件经过严格的质量测试，并通过AEC-Q101认证，确保在汽车电子等严苛环境下长期稳定运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于减少反向恢复损耗，尤其在感性负载切换时表现更优。综合来看，VM21455凭借其低RDS(on)、低Qg、高电流能力和小型化封装，在负载开关、热插拔电路、电机控制、LED驱动及电源管理单元中展现出卓越的性能和广泛适用性。

VM21455广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的电源开关和负载管理，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，利用其低导通电阻和小封装优势实现节能与空间优化。在DC-DC转换器特别是降压（Buck）变换器中，VM21455常作为同步整流开关使用，以降低传导损耗，提高转换效率。此外，它也被用于电池供电系统中的充放电控制电路，确保能量传输路径的低损耗和高可靠性。
　　在工业控制领域，VM21455适用于小型电机驱动、电磁阀控制和继电器替代方案，其快速开关能力和良好热性能保障了控制精度与系统稳定性。在汽车电子中，该器件可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统电源管理、LED照明驱动以及传感器供电单元，得益于其通过AEC-Q101认证，能够满足车载环境对温度、振动和寿命的严苛要求。
　　其他应用还包括热插拔控制器中的主开关元件，防止上电冲击电流损坏后级电路；USB端口的过流保护与电源开关；以及各种需要逻辑电平驱动的高边或低边开关配置。由于支持2.5V以上逻辑电平直接驱动，VM21455无需额外电平转换电路即可与现代微处理器或FPGA接口无缝对接，简化了设计复杂度。总之，凡是要求高效率、小体积和可靠性的低压大电流开关场合，VM21455都是一个极具竞争力的选择。

Si2302DDS-T1-E3
　　FDC630N
　　AO3400