产品系列：VLS3012ET
　　电感值：3.3 μH
　　电感公差：±20%
　　额定电流（Isat）：1.4 A
　　额定电流（Irms）：1.2 A
　　直流电阻（DCR）：75 mΩ 最大
　　自谐振频率（SRF）：60 MHz 最小
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +155°C
　　热阻（θca）：约 60°C/W
　　封装尺寸：3.0 mm × 3.0 mm × 1.2 mm
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端子材料：银/锡合金
　　磁芯材料：金属合金粉末
　　屏蔽类型：全屏蔽结构
　　焊接方式：回流焊（推荐峰值温度260°C）
　　符合标准：RoHS、AEC-Q200

VLS3012ET-3R3M 采用先进的金属合金粉末磁芯技术，这种材料具有极高的磁导率和优异的饱和特性，能够在大电流条件下保持稳定的电感性能。其多层陶瓷基板与精密丝网印刷工艺相结合，实现了电极的精确堆叠，确保了器件在高频工作下的低损耗和高效率。该电感器的全屏蔽结构不仅有效抑制了外部电磁干扰（EMI），还大幅降低了自身的磁辐射，使其非常适合用于高密度PCB布局环境。相比传统绕线式电感，VLS3012ET-3R3M 在体积上更小巧，同时具备更高的机械强度和抗振动能力，特别适用于移动设备和车载应用。
　　该器件具有非常低的直流电阻（DCR），典型值仅为65mΩ，最大不超过75mΩ，这有助于降低导通损耗，提高电源系统的整体能效。其额定饱和电流（Isat）高达1.4A，意味着在电流上升时电感值下降至初始值的30%时仍能正常工作；而温升电流（Irms）为1.2A，表明在电流持续通过时温升不超过40°C。这两个关键参数的平衡使得VLS3012ET-3R3M 能够胜任大多数中等功率DC-DC变换器的需求。此外，其自谐振频率（SRF）最低可达60MHz，保证了在高频开关环境下仍能维持良好的滤波效果和稳定性。
　　在热性能方面，VLS3012ET-3R3M 的热阻约为60°C/W，表明其具备良好的散热能力，能在高负载条件下长时间稳定运行。器件可在-40°C至+125°C的宽温度范围内工作，并支持最高达+155°C的存储温度，适应各种严苛环境。其端子采用银/锡合金镀层，增强了焊接可靠性和耐腐蚀性。整个制造过程遵循严格的品质控制流程，并通过AEC-Q200汽车级认证，证明其在温度循环、机械冲击和长期可靠性方面的卓越表现。此外，该电感兼容自动化贴片生产线，适合大规模SMT生产，提升了制造效率。

VLS3012ET-3R3M 主要应用于需要高效、小型化电感解决方案的现代电子系统中。它广泛用于各类DC-DC降压或升压转换器中，特别是在负载点电源（Point-of-Load, POL）架构中作为储能和滤波元件，为高性能处理器、FPGA、ASIC等数字芯片提供稳定的电压输出。由于其低DCR和高饱和电流特性，该电感在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中被大量采用，以提升电池续航能力和电源效率。
　　在工业控制领域，VLS3012ET-3R3M 可用于PLC模块、传感器供电单元和小型电机驱动电路中的电源稳压部分。其全屏蔽结构和抗干扰能力使其在复杂电磁环境中依然保持稳定性能。在汽车电子系统中，该器件符合AEC-Q200标准，适用于车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电以及电动助力转向（EPS）等应用场景。此外，在物联网（IoT）终端设备、无线通信模块和智能家居控制器中，该电感也常用于LDO前置滤波或开关电源输出端的LC滤波电路，以改善输出纹波和动态响应。
　　得益于其高频率特性和紧凑尺寸，VLS3012ET-3R3M 还可用于射频电源管理单元和高速数据接口的电源去耦网络中。例如，在千兆以太网PHY芯片或Wi-Fi模组的供电路径中，它可以有效抑制高频噪声，保障信号完整性。总之，这款电感凭借其综合性能优势，已成为许多高集成度、高可靠性电源设计中的首选元件之一。

SLF3012FTR-3R3M
　　CDRH3D18NP-3R3NC
　　XAL3012-3R3M