VLS2RT 时间：2025/9/13 7:08:14 阅读：6

VLS2RT 是 Vishay Siliconix 公司生产的一种功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件通常用于高效率电源转换器、电机控制和负载开关等应用。VLS2RT 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具备低导通电阻、高耐压和高电流容量等优点，适合用于各种功率管理场合。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大栅源电压（VGS）：12 V
　　最大连续漏极电流（ID）：6.5 A
　　导通电阻（RDS(on)）：26 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　功率耗散（PD）：3.5 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TSOP（也称为 SuperSOT?-6）

特性

VLS2RT MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其 20V 的漏源电压额定值适用于低电压高电流的应用场景，例如电池供电设备、DC-DC 转换器和负载开关控制。此外，该器件具有快速开关特性，有助于减少开关损耗。
　　该 MOSFET 的 SuperSOT?-6 封装提供了良好的热性能和空间效率，适用于表面贴装技术（SMT）制造流程，便于自动化生产和紧凑型设计。VLS2RT 还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在苛刻的运行条件下保持稳定。
　　在栅极驱动方面，VLS2RT 的栅极电荷较低，使得其适用于高频开关应用。同时，其栅源电压额定值为 12V，支持使用标准的逻辑电平驱动器进行控制。这种特性使得 VLS2RT 在各种便携式电子产品和电源管理系统中具有广泛的应用潜力。

应用

VLS2RT 主要应用于便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。它也适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器和负载开关等场景。此外，在工业控制系统、电源适配器以及 LED 照明调光电路中也有广泛应用。
　　由于其高效率和小尺寸封装，VLS2RT 也常用于需要高效能和高密度电源设计的场合，如电源管理集成电路（PMIC）外围电路、电池管理系统（BMS）以及低电压功率放大器等。其高电流承载能力和低导通电阻使其在高效率同步降压或升压转换器中表现优异。