时间：2025/12/1 17:26:53
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VLS252010HBX-1R0M 是Vishay Dale生产的一款高电流、小尺寸的功率电感器，属于Vishay IHLP?系列中的超薄屏蔽电感产品。该器件采用成熟的模压技术制造，具有扁平化、低剖面的特点，适用于对空间和高度有严格要求的便携式电子设备。其型号中的'1R0M'表示标称电感值为1.0 μH，容差为±20%（M级），而'252010'代表其外形尺寸约为2.5 mm × 2.0 mm × 1.0 mm，是一款非常适合高频开关电源应用的小型化功率电感。该电感内部采用金属合金粉末磁芯和铜合金导体结构，具备优异的抗饱和性能和热稳定性，在大电流负载下仍能保持较高的电感稳定性和较低的能量损耗。此外，由于其结构为全屏蔽设计，电磁干扰（EMI）极低，不会对周边元器件造成干扰，适合高密度PCB布局。
产品系列：IHLP?
尺寸（长×宽×高）：2.5 mm × 2.0 mm × 1.0 mm
电感值：1.0 μH
电感公差：±20%
额定电流（Irms）：1.85 A（依温度上升至40°C为准）
饱和电流（Isat）：2.3 A（典型值，电感下降约30%）
直流电阻（DCR）：75 mΩ（最大值，20°C）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C（含自发热）
屏蔽类型：全屏蔽（磁屏蔽）
安装方式：表面贴装（SMD）
应用频率范围：适用于高达5 MHz的开关频率
热性能：符合AEC-Q200标准（部分批次）
VLS252010HBX-1R0M 具备出色的电流处理能力与小型化设计的完美结合，是现代高效率电源转换系统中不可或缺的关键元件。其核心优势在于采用了Vishay专有的金属复合材料磁芯技术，这种材料由精细分布的铁硅或铁硅铝合金颗粒构成，颗粒之间通过绝缘层隔离，有效降低了涡流损耗，从而在高频工作条件下依然保持低核心损耗和高效率。同时，该材料具有软饱和特性，即在接近饱和电流时电感值缓慢下降而非突变，这有助于提高电源系统的瞬态响应能力和稳定性。
该电感器的铜合金导体采用一体化成型绕组结构，不仅增强了机械强度，还显著降低了直流电阻（DCR），从而减少I2R损耗，提升整体能效。特别是在电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，低功耗意味着更长的续航时间。此外，其1.0 mm的超薄高度使其成为超薄电子产品理想的电源扼流圈选择，能够满足紧凑堆叠设计的需求。
全屏蔽结构是该器件另一大亮点，它将磁场限制在电感本体内，极大减少了对外部电路的电磁干扰（EMI），同时也提升了抗外部磁场干扰的能力，确保系统运行更加可靠。这对于射频模块、传感器阵列等敏感电路共存的高集成度主板尤为重要。此外，该器件具备良好的耐热性和耐湿性，符合RoHS指令及无卤素要求，并通过了严格的可靠性测试，适用于自动化回流焊工艺，兼容现代SMT生产线。
VLS252010HBX-1R0M 主要应用于需要高效、小型化和低噪声电源管理的各类便携式和高密度电子设备。常见用途包括移动设备中的DC-DC转换器，例如智能手机、平板电脑和智能手表中的降压（Buck）变换器输出滤波电感，用于稳定电压并滤除高频纹波。此外，它也广泛用于电源管理单元（PMU）、负载点电源（POL）、电池管理系统（BMS）以及 FPGA 或 SoC 的核心供电路径中，提供稳定的能量传输。
在消费类电子产品方面，该电感适用于TWS耳机充电仓、运动相机、AR/VR头显等对空间极为敏感的产品。在工业和汽车电子领域，尽管该型号非车规级主推型号，但仍可用于车载信息娱乐系统、仪表盘显示模块或辅助电源模块中，前提是工作环境温度在其规格范围内。此外，还可用于服务器内存模块、嵌入式控制器、USB PD电源适配器次级侧稳压电路以及低功率LED驱动电路中。得益于其低EMI特性，该器件也非常适合用于医疗电子设备、测量仪器等对电磁兼容性要求较高的场合。
SLF252010T-1R0M
