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VLS252010CX-R68M 发布时间 时间:2025/12/4 19:42:27 查看 阅读:33

VLS252010CX-R68M是一款由Vishay Dale(威世戴尔)生产的表面贴装功率电感器,属于VLS系列中的小型化、高性能产品。该电感器采用一体成型的金属合金粉末磁芯技术,结合铜导线绕组,封装在紧凑的2520尺寸(约2.5mm x 2.0mm)的矩形片式结构中,并经过环氧树脂模压封装,具备出色的机械强度和环境稳定性。其主要设计目标是为高密度、高效率的DC-DC转换器提供可靠的储能和滤波功能,特别适用于空间受限的便携式电子设备。型号中的'R68M'表示其标称电感值为0.68μH,误差等级为±20%。该器件具有低直流电阻(DCR)、高饱和电流和高温工作能力,能够在恶劣的电气和环境条件下保持稳定性能。由于其优异的抗电磁干扰(EMI)特性,该电感常被用于电源管理模块中,以抑制高频噪声并提升系统整体效率。此外,VLS252010CX-R68M符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q200车规级可靠性认证,使其不仅适用于消费类电子产品,也广泛应用于汽车电子系统中。

参数

产品系列:VLS
  封装尺寸:2520(2.5mm x 2.0mm)
  高度:1.0mm
  电感值:0.68 μH
  电感公差:±20%
  直流电阻(DCR):典型值37.8 mΩ
  额定电流(Irms):640 mA
  饱和电流(Isat):900 mA(电感下降30%)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  存储温度范围:-40°C 至 +150°C
  最大工作电压:取决于应用电路
  核心材料:金属合金粉末(一体成型)
  屏蔽类型:全屏蔽结构
  端子材料:铜合金镀锡
  耐焊接热:符合J-STD-020标准
  环保标准:符合RoHS,无卤素
  车规认证:通过AEC-Q200

特性

VLS252010CX-R68M采用先进的金属合金粉末一体成型技术,这种结构显著提升了磁芯的均匀性和致密性,从而有效降低磁滞损耗和涡流损耗,使电感在高频开关环境下仍能保持较高的效率。其全屏蔽设计不仅大幅减少了外部电磁干扰(EMI),还防止了邻近元件受到磁场耦合影响,提高了PCB布局的灵活性与系统的电磁兼容性(EMC)。该器件具有非常低的直流电阻(DCR),典型值仅为37.8mΩ,在大电流工作条件下可显著减少I2R功率损耗,有助于提高电源转换效率并降低温升。同时,它具备出色的电流处理能力,饱和电流达到900mA(定义为电感值下降30%时的电流),而温升电流为640mA(温度上升40°C时的电流),表明其在持续负载和瞬态过流情况下均能稳定运行。该电感器的工作温度范围宽达-40°C至+125°C,适合在高温环境中长期使用,例如靠近处理器或功率器件的区域。其小型化2520封装形式满足现代电子产品对微型化和高集成度的需求,尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式终端。此外,该器件通过了AEC-Q200车规级可靠性认证,意味着其经历了严格的温度循环、高温高湿偏置、机械冲击等多项测试,确保在汽车电子应用中的长期可靠性。制造过程中采用自动化绕线与模压工艺,保证了批次间的一致性和良品率。端子采用铜合金基材并进行镀锡处理,增强了焊接可靠性和耐腐蚀能力,支持回流焊和波峰焊等多种贴装方式。整体结构坚固,抗振动和机械应力能力强,适用于严苛工业和车载环境。
  VLS252010CX-R68M的频率响应特性良好,适用于数百kHz到数MHz的开关频率范围,常见于同步降压型DC-DC转换器中作为储能元件。其快速响应电流变化的能力有助于维持输出电压稳定,特别是在动态负载条件下表现出色。由于其低损耗和高饱和特性,能够有效避免因电流失控导致的系统失效风险,提升了电源系统的安全性与稳定性。

应用

该电感器广泛应用于各类需要高效、小型化功率电感的电子设备中。典型应用场景包括移动通信设备如智能手机和平板电脑中的PMU(电源管理单元)供电回路,用于为核心处理器、内存、射频模块等提供稳定的低压大电流电源。在便携式消费类电子产品如智能手表、TWS耳机、蓝牙模块中,其小尺寸和低高度优势尤为突出,可在有限空间内实现高性能电源设计。此外,该器件也常用于笔记本电脑、超极本等设备的电压调节模块(VRM)中,配合多相 buck 转换器工作。在汽车电子领域,由于通过AEC-Q200认证,可用于车身控制模块、ADAS传感器供电、车载信息娱乐系统、LED驱动电源等对可靠性要求较高的场合。工业控制设备中的FPGA、DSP、ASIC等芯片的辅助电源设计也是其重要应用方向。在物联网(IoT)节点、无线传感器网络、智能家居控制器等低功耗嵌入式系统中,VLS252010CX-R68M可作为DC-DC升压或降压电路的关键元件,帮助延长电池续航时间。此外,还可用于服务器和数据中心的点负载(POL)转换器、DDR内存终端稳压器以及各种DC-DC模块电源中。其优异的EMI抑制能力也使其适用于对电磁敏感的医疗电子设备和精密测量仪器。

替代型号

SLF252010T-R68M-TR
  CDRH3D18/R68MC

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VLS252010CX-R68M参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列VLS-CX
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感680 nH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)2.62 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)2.52A
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)50 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振-
  • 等级-
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 电感频率 - 测试1 MHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳1008(2520 公制)
  • 供应商器件封装2520
  • 大小 / 尺寸0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.039"(1.00mm)