产品系列：VLS2520xxET
　　电感值：3.3 μH
　　电感公差：±20%
　　直流电阻（DCR）典型值：63 mΩ
　　额定电流（Isat）：1.7 A（电感下降30%）
　　额定电流（Itemp）：1.4 A（温升40°C）
　　最大直流电流：1.7 A
　　自谐振频率（SRF）最小值：45 MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +155°C
　　核心材料：金属合金粉末
　　屏蔽类型：完全屏蔽结构
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　尺寸（长×宽×高）：2.5 mm × 2.0 mm × 0.8 mm

VLS252008ET-3R3M采用高性能金属合金粉末磁芯，这种材料具有优异的磁通密度特性和较低的剩磁损耗，在高频开关电源环境下仍能保持较高的能量转换效率。相比于传统的铁氧体磁芯，金属合金磁芯在面对大电流冲击时表现出更强的抗饱和能力，能够有效防止电感在瞬态负载变化下迅速失去电感量，从而提升系统的动态响应能力和稳定性。该磁芯还具备良好的温度稳定性，即使在高温工作条件下也能维持电感值的一致性，避免因温度漂移导致电源环路不稳定。
　　该电感器采用全屏蔽结构设计，极大程度地抑制了外部电磁场对其性能的影响，同时也减少了自身对外部电路的电磁辐射。这一特性使其非常适合用于对EMI敏感的应用场景，例如移动通信设备、音频处理模块或高精度传感器供电路径中。屏蔽结构还能降低临近元件之间的耦合干扰，提高PCB整体布局的灵活性和可靠性。此外，全屏蔽设计有助于提升产品的抗机械振动和物理冲击能力，增强了在恶劣环境下的耐用性。
　　VLS252008ET-3R3M具有低直流电阻（DCR）的特点，典型值仅为63mΩ，这显著降低了导通状态下的铜损，提高了电源系统的整体能效。在电池供电设备中，低功耗意味着更长的续航时间；而在高功率密度设计中，则有助于减少热积累，降低散热需求。结合其高达1.7A的饱和电流（Isat）指标，该器件可在不牺牲性能的前提下支持较高负载电流的应用。同时，其温升电流（Itemp）为1.4A，表明在持续工作状态下仍能保持合理的温升水平，确保长期运行的安全性。
　　该电感器符合AEC-Q200标准的部分要求，具备一定的汽车级可靠性基础，可用于部分车载电子系统中的非关键电源轨。其端子电极采用多层镍/锡镀层结构，提供了优良的焊接可靠性和耐腐蚀性能，适合无铅回流焊工艺，并满足RoHS和REACH环保规范。综合来看，VLS252008ET-3R3M是一款集小型化、高效能、高可靠性和良好EMI抑制于一体的先进功率电感器，适用于现代高集成度电源管理设计。

VLS252008ET-3R3M主要应用于各类需要高效、小型化功率电感的直流-直流（DC-DC）转换电路中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，它常被用作降压型（Buck）转换器的储能元件，配合同步整流控制器实现高效的电压调节，满足处理器、内存和其他核心芯片对低电压、大电流电源的需求。由于其低直流电阻和高饱和电流特性，能够在高开关频率下保持良好效率，有助于延长电池使用时间并减少发热。
　　在笔记本电脑和超极本的主板电源设计中，该电感可用于CPU/GPU供电的多相VRM（电压调节模块）架构中，作为每相的滤波电感，帮助平滑输出电流纹波并提升瞬态响应能力。其紧凑的2.5mm x 2.0mm尺寸有利于在空间受限的主板上实现高密度布局，同时全屏蔽结构有效避免与其他高频信号线之间的串扰问题。
　　工业控制设备、嵌入式系统和网络通信设备中的板载电源模块也广泛采用此类电感。特别是在PoE（Power over Ethernet）供电设备或路由器、交换机的DC-DC电源中，VLS252008ET-3R3M可用于隔离或非隔离拓扑结构中，提供稳定可靠的功率传输。此外，它还可用于LED驱动电源、相机模组供电、传感器电源轨等对噪声敏感的应用场合，凭借其低EMI辐射特性保障信号完整性。
　　在汽车电子领域，尽管该型号未完全通过AEC-Q200认证，但仍可用于部分车载信息娱乐系统、ADAS辅助系统的小功率电源转换环节。其宽温工作范围（-40°C至+125°C）使其能在车辆启动、高温运行等复杂工况下稳定工作。总体而言，该器件适用于各种中等功率、高效率、小体积要求的电源应用场景。

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　　 "SLF2520T-3R3M",
　　 "XAL2520-3R3M",
　　 "CDRH2D18-3R3MC",
　　 "LQM2HPN3R3MG0L"
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