类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　正向电压（VF）：典型1.2V，最大1.4V
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　发射极-集电极电压（VECO）：7V
　　集电极电流（IC）：50mA
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　隔离电压（Viso）：3750Vrms
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%
　　上升时间/下降时间：3μs / 3μs
　　封装形式：DIP-4
　　输入端兼容TTL/CMOS电平

VLP-04V-K具备优异的电气隔离性能，能够在高噪声环境中提供可靠的信号传输。其内部采用GaAs红外发光二极管与硅基光敏晶体管组合结构，确保了高效的光电转换效率和稳定的响应特性。该器件的电流传输比（CTR）范围宽广，典型值可达50%至600%，这意味着即使在输入电流较小的情况下也能驱动后级负载，从而显著降低功耗，非常适合电池供电或节能型系统使用。CTR的高稳定性使其在长时间运行过程中不易出现性能衰减，提升了整体系统的寿命与可靠性。
　　该光耦的工作温度范围宽达-55°C至+110°C，适应各种恶劣环境下的工业应用需求，如高温车间、户外设备或低温仓储控制系统。同时，器件的热阻特性良好，能够在不同环境温度下保持一致的开关响应速度。其上升时间和下降时间均为3微秒左右，表明该器件具备较快的响应能力，可用于中速数字信号隔离传输，例如在UART通信、GPIO扩展、中断信号传递等场景中表现良好。
　　VLP-04V-K的输入侧仅需约1.2V的正向电压即可导通，因此可直接由3.3V或更低电压的逻辑电路驱动，无需额外的电平转换电路。这一特性简化了系统设计，减少了外围元件数量，有助于缩小PCB面积并降低成本。此外，该器件具有良好的线性度和温度补偿能力，可用于模拟信号隔离场合，如传感器信号调理电路中的隔离放大器前端。其高隔离电压（3750Vrms）保证了操作人员和设备的安全，尤其适用于连接市电或高压母线的控制系统。
　　封装方面，VLP-04V-K采用标准DIP-4封装，引脚间距为2.54mm，兼容传统插件工艺和自动贴片设备，便于批量生产。其内部填充材料具有优良的防潮、抗紫外线和耐老化性能，增强了器件在潮湿、多尘或腐蚀性环境下的耐用性。符合RoHS环保要求，不含铅、镉等有害物质，适用于出口型电子产品和绿色能源项目。

VLP-04V-K广泛应用于需要电气隔离的各种电子系统中。常见用途包括开关电源中的反馈控制回路，用于将次级侧的电压调节信号隔离传输至初级侧PWM控制器，从而实现闭环稳压功能，同时避免高压侧对低压控制电路的影响。在工业自动化领域，该器件常用于PLC（可编程逻辑控制器）的数字输入模块，将现场传感器信号（如接近开关、按钮、限位开关）与内部逻辑电路隔离开来，防止外部干扰或浪涌损坏CPU单元。
　　在通信接口中，VLP-04V-K可用于RS-232、RS-485或CAN总线的信号隔离，提升系统的抗共模干扰能力和通信稳定性，特别是在长距离数据传输或多点联网环境中尤为重要。在电机驱动系统中，它可用于隔离微控制器发出的PWM信号与功率驱动电路（如IGBT或MOSFET栅极驱动器），以保障控制核心的安全。
　　此外，该器件也适用于医疗电子设备中的信号隔离环节，因其具备高绝缘强度和低漏电流特性，能满足医疗安全标准对患者保护的要求。在智能电表、光伏逆变器、UPS不间断电源等电力电子设备中，VLP-04V-K用于状态监测信号的隔离采集，例如继电器状态反馈、故障报警信号上传等。其低功耗特性还使其适合用于便携式仪器和物联网终端设备中，作为MCU与外设之间的安全隔离桥梁。

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