时间：2025/12/25 9:52:14
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VLM10555T-R70M120-3是一款由威世（Vishay）公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列，专为高频、高效率的电源转换和信号整流应用而设计。该器件采用先进的平面技术制造，具有低正向电压降和快速开关特性，适用于便携式电子设备、电源管理电路以及需要紧凑型封装的高密度PCB布局。其型号中的后缀“-3”表明该产品以卷带包装形式供应，适合自动化贴片生产流程。该二极管采用双共阴极配置，即两个肖特基二极管共享一个阴极，常用于双路整流或输出隔离电路中，提升系统效率并减少热损耗。
VLM10555T-R70M120-3的封装为SMA（DO-214AC），具备良好的散热性能和机械稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。该器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级认证，适用于汽车电子系统如车载充电器、LED照明模块和DC-DC转换器等严苛环境下的应用。此外，由于其低漏电流和高反向击穿电压，也广泛应用于消费类电子产品中的电源适配器、USB供电路径管理及电池保护电路中。
类型：肖特基势垒二极管阵列
配置：双共阴极
最大重复反向电压（VRRM）：30 V
最大直流反向电压（VR）：30 V
峰值脉冲电流（IFSM）：30 A
最大正向电流（IF）：1.5 A
最大正向电压（VF）：0.58 V @ 1 A
最大反向漏电流（IR）：0.1 mA @ 25°C, 30 V
结温范围（Tj）：-55°C 至 +125°C
存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
封装/外壳：SMA（DO-214AC）
安装类型：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
湿度敏感等级（MSL）：1级（<=30°C/85%RH）
VLM10555T-R70M120-3的核心优势在于其优异的电学性能与高可靠性。首先，该器件采用了肖特基势垒结构，使得其在导通状态下拥有非常低的正向压降（典型值仅为0.58V@1A），显著降低了功率损耗，提高了整体能效，特别适用于低压大电流的应用场景，例如5V或3.3V电源轨的整流与防倒灌设计。其次，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此具备极快的反向恢复速度（trr < 10ns），几乎无反向恢复电荷，从而大幅减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统在高频工作下的稳定性。
该器件的双共阴极配置允许在单一封装内实现两个独立但共享阴极的整流路径，非常适合同步整流替代方案、OR-ing电路、多路输出隔离以及DC-DC变换器中的续流与箝位功能。这种集成化设计不仅节省了PCB空间，还简化了布线复杂度，有助于提高产品的小型化程度和制造良率。此外，其高达30A的峰值浪涌电流能力使其能够承受瞬态过流冲击，增强了系统的鲁棒性，尤其在电源启动或负载突变时表现出色。
SMA封装提供了良好的热传导路径，结合低热阻特性，确保即使在满负荷运行下也能有效散热，延长器件寿命。器件支持-55°C至+125°C的工作结温范围，满足工业级与部分汽车级应用需求。同时，产品通过AEC-Q101认证，意味着其在高温高湿、温度循环、机械振动等恶劣条件下仍能保持长期可靠运行，适用于发动机舱外电子控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统和ADAS传感器供电模块等场景。
VLM10555T-R70M120-3广泛应用于多种需要高效、紧凑型整流解决方案的电子系统中。在电源管理领域，它常用于开关模式电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器中作为次级侧整流二极管，尤其是在反激式、正激式和同步整流拓扑中发挥关键作用。其低正向压降和快速响应特性可显著提升转换效率，降低温升，适用于笔记本电脑适配器、手机充电器和机顶盒等消费类电源产品。
在便携式设备中，该器件可用于电池充放电管理电路中的防反接与隔离功能，防止多电源路径之间发生倒流现象，保护主控芯片与储能元件。此外，在LED驱动电路中，它可用作续流二极管，抑制电感产生的反向电动势，确保恒流源稳定工作，提升照明系统的安全性和寿命。
汽车电子方面，得益于其AEC-Q101认证和宽温工作能力，该器件被广泛用于车载充电系统（OBC）、DC-DC转换模块、车身控制模块（BCM）以及仪表盘和导航系统的电源架构中。其高抗扰能力和低漏电流特性也有助于满足汽车EMC测试要求。此外，在工业控制系统、通信设备和网络路由器中，该二极管同样可用于隔离不同电压域、构建冗余电源切换机制（Power OR-ing）以及提供瞬态电压抑制辅助功能。
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"MBR140-TP",
"SB130",
"BAT54C",
"SMS7621",
"PMG3904"
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