时间：2025/11/24 10:57:31
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VLF3010AT-220MR33是一款由Vishay Dale生产的高功率、高可靠性绕线薄膜片式电感器，广泛应用于需要稳定电感值和低直流电阻（DCR）的电源转换电路中。该器件采用先进的薄膜制造工艺，在陶瓷基板上通过精密光刻技术沉积金属线圈，从而实现极高的电感精度和稳定性。其紧凑的表面贴装封装设计使其非常适合空间受限的现代电子设备，同时具备出色的机械强度和热稳定性。
VLF3010AT-220MR33的标称电感值为22.0μH，允许公差为±20%，适用于多种工业、消费类及通信类应用中的滤波、储能和平滑电流等用途。该电感器具有良好的抗老化性能和温度稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的电气特性，确保系统长期运行的可靠性。此外，其结构设计优化了磁屏蔽效果，有效减少了电磁干扰（EMI），提升了系统的电磁兼容性（EMC）。
该元件特别适合用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）、便携式电子设备以及各类电池供电系统中。由于其具备较高的饱和电流和温升电流能力，能够承受瞬态过载而不发生显著电感下降，因此在动态负载条件下仍能维持良好性能。VLF3010AT-220MR33符合RoHS指令要求，并通过AEC-Q200认证，适用于对可靠性和环境适应性有较高要求的应用场景。
产品系列：VLF3010AT
电感值：22.0 μH
电感公差：±20%
直流电阻（DCR）：典型值33 mΩ
额定电流（Isat）：约8.5 A（电感下降30%时）
温升电流（Irms）：约9.0 A（温升40°C时）
自谐振频率（SRF）：典型值大于20 MHz
工作温度范围：-55°C 至 +155°C
存储温度范围：-55°C 至 +155°C
封装尺寸：3.0 mm x 3.0 mm x 2.5 mm（L x W x H）
安装类型：表面贴装（SMD）
核心材料：陶瓷基板配金属合金薄膜线圈
屏蔽类型：磁屏蔽结构以减少EMI辐射
VLF3010AT-220MR33采用先进的薄膜光刻工艺制造，这种工艺能够在陶瓷基板上精确地沉积微米级金属线圈，从而实现高度一致的电感值和优异的温度稳定性。相比传统的绕线或粉末冶金铁芯电感，该器件在高频下的Q值更高，寄生损耗更低，有助于提升电源转换效率。其独特的结构设计不仅增强了机械坚固性，还大幅降低了因振动或热应力导致的性能退化风险，确保在严苛环境下长期稳定工作。
该电感器具备出色的电流处理能力，其饱和电流（Isat）和温升电流（Irms）均处于同类产品领先水平。这意味着即使在大电流冲击或持续高负载工况下，电感值也不会迅速衰减，从而保障了电源系统的动态响应能力和输出稳定性。此外，低直流电阻（仅33mΩ典型值）显著减少了铜损，提高了整体能效，尤其适用于追求高效率和低发热的设计需求。
磁屏蔽结构是该器件的重要特性之一，能够有效抑制磁场泄漏，降低对外部元件的电磁干扰，提升系统的EMC性能。这一特点使其非常适合用于高密度PCB布局或多层板设计中，避免邻近敏感线路受到磁耦合影响。同时，全封闭式封装也提供了良好的防潮、防尘和耐化学腐蚀能力，增强了在恶劣工业环境中的适应性。
VLF3010AT-220MR33的工作温度范围宽达-55°C至+155°C，满足汽车级和工业级应用的严苛温度要求。其材料与工艺均通过AEC-Q200认证，证明其在高温、高湿、热循环和机械冲击测试中表现出卓越的可靠性。无论是用于车载电子、工业控制还是通信基础设施，该电感器都能提供持久稳定的性能支持。
VLF3010AT-220MR33主要用于高性能电源管理电路中，特别是在需要高电流承载能力和稳定电感特性的场合。典型应用包括各类开关模式电源（SMPS），如降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）转换器，这些电路广泛存在于服务器、路由器、基站等通信设备的供电系统中。
在DC-DC转换器领域，该电感器常用于中间总线转换器（IBC）和负载点电源（POL），为处理器、FPGA、ASIC等高速数字芯片提供稳定、低噪声的电压供应。其低DCR和高饱和电流特性可有效减少能量损耗并防止电感饱和，从而提升转换效率和系统可靠性。
该器件也适用于便携式电子设备，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电池管理系统和电源轨调节模块。在这些应用中，空间紧凑且功耗敏感，VLF3010AT-220MR33的小型化设计和高效能表现尤为重要。
此外，它还可用于工业自动化设备、医疗仪器、LED驱动电源以及新能源领域的逆变器和充电控制单元。在汽车电子方面，得益于其AEC-Q200认证和宽温工作能力，该电感器可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源、车身控制模块和电动助力转向系统等多种关键子系统中。
VLF3010AT-220M
