时间：2025/12/25 9:56:26
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VLF252015MT-3R3M是一款由TDK公司生产的多层片状铁氧体磁珠，属于VLF系列。该器件专为高频噪声抑制而设计，广泛应用于各类电子设备中，以提高系统的电磁兼容性（EMC）。其型号中的'VLF'代表该产品属于超低外形、大电流应用的铁氧体磁珠系列，'252015'表示其尺寸为2.5mm x 2.0mm x 1.5mm，符合EIA标准的1008尺寸封装。'MT'通常表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。而'3R3M'则表示该磁珠的标称阻抗为3.3Ω，允许有±20%的公差（M代表公差等级）。该器件采用多层陶瓷工艺制造，内部结构由多个交叉叠绕的线圈和高磁导率铁氧体材料构成，能够在不影响信号完整性的情况下有效吸收高频干扰噪声。VLF252015MT-3R3M具有低直流电阻（DCR）、高饱和电流和优异的温度稳定性，适合在电源线路、I/O接口及高频信号路径中作为滤波元件使用。由于其小型化设计和高性能表现，该磁珠被广泛用于移动通信设备、便携式电子产品、计算机外围设备以及汽车电子系统中。
产品系列：VLF
尺寸（长×宽×高）：2.5mm × 2.0mm × 1.5mm
EIA尺寸代码：1008
直流电阻（DCR）典型值：0.065Ω
额定电流：1.5A
阻抗频率：100MHz
标称阻抗值：3.3Ω @ 100MHz
阻抗公差：±20%
工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
存储温度范围：-55℃ ~ +125℃
绝缘电阻：≥100MΩ
耐电压：50V AC rms / 100V DC
磁珠类型：多层片状铁氧体
安装方式：表面贴装（SMD）
端子电极：镍/锡电镀
包装形式：卷带（Tape and Reel）
VLF252015MT-3R3M具备出色的高频噪声抑制能力，其核心优势在于结合了低直流电阻与高效的阻抗特性，使其在保持电源效率的同时有效滤除高频干扰。该磁珠在100MHz频率下提供3.3Ω的标称阻抗，虽然绝对阻值不高，但在高速数字电路和开关电源的去耦应用中足以实现对射频噪声的有效衰减。其多层结构设计不仅提升了磁芯利用率，还增强了磁场屏蔽效果，减少了外部电磁干扰的影响。此外，该器件具有较高的饱和电流能力（可达1.5A），即使在大电流负载条件下也能维持稳定的阻抗性能，避免因磁芯饱和导致的滤波失效问题。
另一个显著特点是其超紧凑的外形尺寸——2.5mm × 2.0mm × 1.5mm，使其非常适合空间受限的高密度PCB布局，如智能手机、平板电脑和其他便携式消费类电子产品。同时，其表面贴装封装形式支持自动化回流焊工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。材料方面，采用高温稳定型铁氧体陶瓷和可靠的金属电极结构，确保了长期工作的耐久性和环境适应性。该器件的工作温度范围宽达-55℃至+125℃，满足工业级和部分汽车级应用需求。此外，其端子经过镍/锡双层电镀处理，具备良好的可焊性和抗腐蚀能力，有助于提升整机的可靠性和寿命。整体而言，VLF252015MT-3R3M是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的高端磁珠解决方案。
该磁珠常用于各类需要电磁干扰（EMI）抑制的电子系统中，特别是在电源管理模块中作为去耦元件使用。例如，在DC-DC转换器的输入/输出端口串联此磁珠，可以有效抑制开关噪声向其他电路部分传播，从而提升整个系统的电磁兼容性。在便携式设备中，如智能手机和平板电脑，它被广泛应用于电池供电线路、处理器核心电源域以及射频模块的电源滤波路径中，帮助满足严格的EMI认证要求（如FCC、CE等）。
此外，VLF252015MT-3R3M也适用于高速数据接口的信号完整性保护，如USB、HDMI、MIPI等差分或单端信号线的共模噪声滤波。尽管其阻抗值较低，但在高频段仍能提供足够的衰减作用，尤其适合对插入损耗敏感的应用场景。在汽车电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中的电源滤波，以应对复杂电磁环境下的干扰挑战。工业控制系统和网络通信设备中同样可见其身影，用于隔离噪声并防止串扰。得益于其高电流承载能力和温度稳定性，该磁珠在长时间运行和高温环境下依然保持良好性能，是现代高集成度电子产品中不可或缺的被动元件之一。
BLM21PG3R3SN1D
ACM160830-3R3D-T
DLW21HN3R3SQ2L
SRP3215TA-3R3M
MMZ1608D3R3BT
