时间：2025/12/3 17:08:07
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VLF252012MT-1R0N是一款由TDK公司生产的表面贴装功率电感器，属于VLF系列，专为高电流、低直流电阻和紧凑型设计的应用而开发。该电感器采用金属合金磁芯材料，具有优异的磁饱和特性和热稳定性，适用于现代电源管理电路中对效率和空间要求较高的场景。其小型化封装尺寸为2.5mm x 2.0mm x 1.2mm，符合当前电子设备向轻薄化发展的趋势。该器件广泛用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）、笔记本电脑、智能手机、平板电脑以及其他便携式电子产品中的电源线路滤波与储能功能。VLF252012MT-1R0N的标称电感值为1.0μH，在额定工作条件下能够提供高达2.3A的额定电流，并且在大电流负载下仍能保持较低的电感衰减，表现出良好的直流偏置特性。此外，该电感器具备低电磁干扰（EMI）辐射特性，有助于提升系统整体的电磁兼容性。其端电极结构经过优化设计，支持回流焊工艺，确保在SMT生产线上的高可靠焊接性能。整体而言，这款功率电感结合了高性能磁性材料与先进的封装技术，是高频开关电源中理想的无源元件选择之一。
产品型号：VLF252012MT-1R0N
制造商：TDK
封装尺寸：2.5mm x 2.0mm x 1.2mm
电感值：1.0μH ±30%
直流电阻（DCR）典型值：68mΩ
额定电流（Ir）：2.3A（温升限制）
饱和电流（Isat）：3.0A（电感下降约30%）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
最大高度：1.2mm
安装类型：表面贴装（SMD）
磁芯材料：金属合金复合材料
屏蔽类型：半屏蔽结构
应用频率范围：适用于数百kHz至数MHz的开关频率
VLF252012MT-1R0N采用先进的金属合金粉末压制成型的磁芯结构，这种材料组合赋予了电感器出色的抗饱和能力，即使在高直流偏置电流下也能维持相对稳定的电感值，有效避免因磁芯饱和导致的效率下降或电路不稳定问题。其独特的磁路设计实现了内部磁场的高度集中，显著降低了外部漏磁，从而减少了对邻近元器件的电磁干扰，提升了系统的EMI性能。该电感器具有极低的直流电阻（DCR），典型值仅为68mΩ，这直接降低了导通损耗，提高了电源转换效率，尤其在大电流输出的应用中优势明显。同时，由于使用的是耐高温的绝缘材料和稳定可靠的端子电极，器件可在-40°C至+125°C的宽温度范围内长期稳定运行，满足工业级和消费类电子产品的严苛环境要求。其紧凑的2.5×2.0×1.2mm尺寸使其非常适合空间受限的高密度PCB布局，例如移动设备主板上的多相VRM设计。制造过程中采用了自动化精密绕线与高温固化工艺，保证了批次间的一致性和长期可靠性。此外，该器件通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适用于对品质要求严格的车载电子辅助电源系统。其半屏蔽结构在成本与性能之间取得良好平衡，既提供了优于非屏蔽电感的EMI控制能力，又避免了全屏蔽带来的体积增大和成本上升问题。
VLF252012MT-1R0N还具备良好的瞬态响应特性，能够在负载快速变化时迅速调整能量存储与释放过程，保障输出电压的稳定性。其频率特性适合用于现代高频同步整流降压变换器，通常工作在500kHz到2MHz之间的开关频率范围内，能够配合高边和低边MOSFET实现高效能量传输。由于其低噪声特性，也常被应用于对电源纹波敏感的射频模块、图像传感器供电轨等领域。总体来看，该电感器集成了小型化、高效率、强抗干扰和高可靠性等多项优点，是先进电源设计中不可或缺的关键组件之一。
主要用于便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑中的DC-DC转换器；用于笔记本电脑和其他移动计算设备的电压调节模块（VRM）；应用于服务器和通信设备中的多相电源管理电路；适用于LED驱动电源、电池充电管理电路以及各类嵌入式系统的板载电源设计；也可用于汽车电子中的辅助电源单元，例如信息娱乐系统和ADAS相关控制器的供电部分；此外，在工业控制、物联网终端和无线模块中也有广泛应用。
SLF252012T-1R0N
