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VLF10045T-2R2N7R4 发布时间 时间:2025/12/3 18:04:57 查看 阅读:51

VLF10045T-2R2N7R4 是由TDK公司生产的一款大电流、高饱和性能的功率电感器,属于VLF系列。该器件专为在紧凑空间内实现高效能电力转换而设计,广泛应用于现代电子设备中的DC-DC转换器电路中。其主要特点包括低直流电阻(DCR)、高饱和电流和良好的热稳定性,适合在高负载条件下稳定运行。该电感采用一体成型金属合金粉末结构,具有优异的抗电磁干扰(EMI)能力,并具备出色的机械强度和耐热性。其屏蔽结构有效降低了漏磁,减少了对周边元件的干扰,适用于便携式电子产品、通信设备、计算机主板以及工业电源系统等对空间和效率要求较高的应用场景。此外,该元件符合RoHS环保标准,并具备无铅焊接兼容性,支持回流焊工艺,便于自动化贴装生产。

参数

产品系列:VLF
  电感值:2.2μH
  公差:±30%
  额定电流(Isat):7.4A
  额定电流(Irms):6.4A
  直流电阻(DCR):18.5mΩ(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  尺寸(长×宽×高):10.0mm × 10.0mm × 4.5mm
  封装类型:表面贴装(SMD)
  屏蔽类型:磁屏蔽
  应用类别:功率电感
  最大工作电压:未指定(依电路设计而定)

特性

VLF10045T-2R2N7R4 具备卓越的电流处理能力和高效的能量转换特性,其核心材料采用金属合金粉末一体压制成型,显著提升了磁芯的饱和磁通密度,使得在大电流通过时仍能保持电感值的稳定性,避免因磁饱和导致的性能下降。这种结构不仅提高了电感器的热稳定性,还大幅降低了铁芯损耗,从而提升了整体转换效率。该电感的直流电阻极低,仅为18.5mΩ左右,有助于减少导通损耗,降低温升,在高负载持续工作的场景下表现出色。
  其紧凑的10.0mm × 10.0mm × 4.5mm尺寸设计,使其能够在有限的PCB空间内实现高性能功率传输,特别适合用于高密度布局的电源模块。磁屏蔽结构有效抑制了电磁辐射,减少了对外部电路的干扰,同时提升了系统的EMI兼容性,满足多数工业与消费类电子产品的电磁兼容要求。此外,该元件具有良好的耐湿性和机械坚固性,能够承受多次热循环和振动环境,适用于严苛的工作条件。
  在制造工艺方面,VLF10045T-2R2N7R4 采用全自动化生产流程,确保批次间一致性高,可靠性强。其端子电极为多层镍/锡电镀结构,具备优良的可焊性和长期连接稳定性,支持无铅回流焊接工艺,符合现代绿色电子制造的趋势。由于其宽广的工作温度范围(-40°C 至 +125°C),该电感可在高温环境下长期运行而不影响性能,适用于汽车电子、工业控制及户外通信设备等复杂环境下的电源设计。

应用

该电感广泛应用于各类需要高效能、大电流输出的直流电源转换系统中。典型应用场景包括降压型(Buck)转换器、升压型(Boost)转换器以及升降压(Buck-Boost)拓扑结构的开关电源电路。在服务器、台式机和笔记本电脑的主板VRM(电压调节模块)中,它常被用于为CPU、GPU等高性能处理器提供稳定的供电路径。此外,该元件也适用于DC-DC电源模块、FPGA和ASIC的辅助电源、LED驱动电源以及电信基站电源单元等对电能转换效率和可靠性要求较高的领域。
  在工业自动化设备中,如PLC控制器、电机驱动器和传感器供电单元,VLF10045T-2R2N7R4 能够提供稳定的滤波和储能功能,保障系统在波动负载下的平稳运行。其高抗干扰能力和耐久性也使其成为新能源系统(如光伏逆变器、储能电源)中不可或缺的被动元件之一。随着5G通信基础设施的发展,该类高功率电感在基站射频模块和电源管理单元中的使用频率不断提升,展现出良好的市场适应性和技术延展性。

替代型号

VLS1008ET-2R2M, VLF10045T-2R2N

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VLF10045T-2R2N7R4产品

VLF10045T-2R2N7R4参数

  • 标准包装1
  • 类别电感器,线圈,扼流圈
  • 家庭固定式
  • 系列VLF
  • 电感2.2µH
  • 电流7.4A
  • 电流 - 饱和-
  • 电流 - 温升7.4A
  • 类型-
  • 容差±30%
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻(DCR)最大 10.2 毫欧
  • Q因子@频率-
  • 频率 - 自谐振-
  • 材料 - 芯体-
  • 封装/外壳0.394" L x 0.382" W x 0.177" H(10.00mm x 9.70mm x 4.50mm)
  • 安装类型表面贴装
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 频率 - 测试100kHz
  • 其它名称445-3574-6