时间：2025/12/1 16:14:39
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VLF10040T-101M1R2 是由TDK公司生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于高频和高可靠性电子电路中。该器件采用先进的陶瓷介质与内部电极结构设计，具有优异的高频特性和温度稳定性，适用于去耦、滤波、旁路以及信号耦合等关键应用场景。其封装尺寸为0603（英制），即公制尺寸1608，适合高密度表面贴装技术（SMT），广泛应用于便携式消费电子产品、通信设备、工业控制模块及汽车电子系统中。该型号中的‘101M’表示标称电容值为100pF（101 × 101 pF），‘M’代表容量公差为±20%，而‘1R2’则表示额定电压为1.2kV直流耐压。这种高压特性使得该电容能够在承受瞬态高压冲击的电路中稳定工作，例如在电源管理单元或高压传感接口中提供可靠的电性能支持。
作为TDK VLF系列的一员，VLF10040T-101M1R2具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），从而在高频环境下展现出接近理想的电容行为。此外，该产品符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q200等车规级可靠性认证，确保在严苛环境条件下仍能维持长期稳定的电气性能。器件采用卷带包装，便于自动化贴片生产线使用，提升了制造效率和一致性。由于其高压、小尺寸与高频率响应的综合优势，该电容器常被用于DC-DC转换器、射频放大器输出匹配网络、传感器信号调理电路以及需要高绝缘强度的隔离式电源反馈回路中。
型号：VLF10040T-101M1R2
制造商：TDK
类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
电容值：100pF
容差：±20%
额定电压：1.2kVDC
温度特性：C0G/NP0
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装尺寸：1608（公制）/0603（英制）
介质材料：陶瓷
产品系列：VLF
安装方式：表面贴装（SMD）
高度：约1.0mm
端接类型：镍障层+锡外镀层
RoHS合规性：是
AEC-Q200认证：是
VLF10040T-101M1R2 具备卓越的电气与机械稳定性，其核心特性之一是采用了C0G（即NP0）类型的陶瓷介质材料，这种材料在全温度范围内具有极其稳定的介电常数，确保电容值不随温度变化而发生显著漂移。实测数据显示，在-55°C至+125°C的工作温度区间内，电容的变化率不超过±30ppm/°C，远优于X7R、Y5V等其他常见介质类型，因此特别适用于对频率稳定性要求极高的振荡电路、滤波器和精密定时应用。此外，C0G材质还表现出极低的介质损耗（tanδ通常小于0.1%），有效减少高频下的能量损耗与发热现象，提升系统整体效率。
该器件设计用于高压环境，额定直流电压高达1.2kV，使其能够在高压电源监测、绝缘栅驱动电路以及医疗成像设备中的高压采样路径中安全运行。尽管具备如此高的耐压能力，其物理尺寸却仅为1608封装，实现了高压与小型化的良好平衡。这一特点对于空间受限但需承受瞬态高压的应用场景尤为重要，如电动汽车车载充电机（OBC）、工业PLC输入保护电路或智能电表前端滤波模块。
在高频性能方面，得益于优化的内部电极叠层结构和低寄生参数设计，该电容器拥有非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），可在数百MHz甚至GHz频段保持良好的阻抗特性，适合作为高频去耦电容使用。同时，它具备出色的抗热冲击能力和焊接耐久性，能够承受多次回流焊过程而不影响性能。产品通过AEC-Q200认证，表明其在温度循环、湿度敏感度、机械振动等方面均满足汽车级应用的严苛要求，适用于发动机控制单元、ADAS传感器模块等高可靠性系统。
该电容器广泛应用于需要高压稳定性和高频响应的电子系统中，典型用途包括高压电源电路中的去耦与滤波，特别是在DC-DC升压或反激式转换器的反馈网络中用于信号隔离与噪声抑制；在射频（RF）电路中，用于匹配网络、谐振回路和滤波器构建，因其C0G特性可保证频率点的精准性；在工业自动化设备中，用于传感器接口电路的抗干扰设计；在汽车电子领域，应用于电池管理系统（BMS）、车载逆变器和照明控制系统中，提供可靠的高压旁路功能；同时也可用于医疗仪器、测试测量设备以及航空航天电子系统中，承担关键信号路径的耦合与滤波任务。
GRM1887C1H101JA01D
CC0603JRNPO9BN101
C1608C0G1H101J030B
VLC10040T-101M1R2
