型号：VLF-575+
　　制造商：Mini-Circuits
　　最小工作频率：10 kHz
　　最大工作频率：500 MHz
　　典型增益：20 dB
　　增益平坦度：±0.5 dB
　　噪声系数：3 dB（典型值）
　　输入驻波比（VSWR）：≤2.0:1
　　输出驻波比（VSWR）：≤2.0:1
　　输出三阶交调截点（OIP3）：+25 dBm
　　1 dB 增益压缩点（P1dB）：+10 dBm
　　工作电压：+12 V DC
　　工作电流：60 mA（典型值）
　　封装类型：Surface Mount
　　尺寸：0.78 in × 0.48 in × 0.14 in（19.8 mm × 12.2 mm × 3.6 mm）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +100°C

VLF-575+ 具备卓越的低频响应能力，可在从 10 kHz 起始的极低频率下实现高效放大，这在传统的射频放大器中较为罕见。其内部电路经过优化设计，采用了高性能晶体管和精密阻抗匹配网络，确保在整个 10 kHz 至 500 MHz 频带内保持稳定的增益和低噪声表现。典型噪声系数仅为 3 dB，使得该器件非常适合用于微弱信号的前置放大，例如在地震监测、水下声呐、电磁感应探测等对信噪比要求极高的场合。
　　该放大器的增益典型值为 20 dB，且增益平坦度控制在 ±0.5 dB 以内，这意味着在不同频率点上的输出信号幅度变化极小，有助于维持系统整体的线性度和动态范围。这种高增益平坦度得益于内部宽带匹配技术和反馈结构的设计，避免了传统多级调谐带来的复杂性和不稳定性。
　　VLF-575+ 的输入和输出端口均采用变压器耦合方式，实现了直流隔离并支持交流信号传输，同时允许用户通过外部偏置网络向放大器核心供电。这种设计不仅提升了系统的灵活性，还增强了与其他射频模块的互操作性。其输入和输出 VSWR 均低于 2.0:1，表明其具备良好的阻抗匹配能力，减少了反射损耗，提高了能量传输效率。
　　在非线性性能方面，VLF-575+ 表现出色，具有高达 +25 dBm 的输出三阶交调截点（OIP3）和 +10 dBm 的 1 dB 增益压缩点（P1dB），说明其在处理强信号时仍能保持较高的线性度，有效抑制互调失真，适用于存在多个信号共存的复杂电磁环境。
　　该器件采用坚固的金属屏蔽封装，具备良好的电磁兼容性和散热性能，能够在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内可靠运行，适用于野外设备、航空航天及军事通信等严苛环境下的长期使用。

VLF-575+ 广泛应用于需要在极低频率下进行高灵敏度信号放大的系统中。它常被用作接收链路中的第一级低噪声放大器（LNA），以提升整个系统的信噪比。典型应用包括但不限于：长波和甚低频（VLF）通信系统，这类系统通常用于潜艇通信、地下通信或远程导航，由于信号传播距离远且衰减大，因此对接收端的放大器提出了极高要求；在这些场景中，VLF-575+ 可显著增强微弱信号的可检测性。
　　此外，该器件也适用于地震勘探仪器、地磁监测设备和地质雷达等地球物理探测系统，这些系统依赖于捕捉自然界产生的微弱电磁信号，要求前端放大器具备极低的本底噪声和宽频带响应能力。VLF-575+ 正好满足这些需求，能够有效放大来自传感器的原始信号而不引入过多噪声。
　　在测试与测量领域，VLF-575+ 被集成于频谱分析仪、网络分析仪和信号发生器等高端仪器中，作为前端增益模块使用，用于扩展仪器在低频段的动态范围和灵敏度。其稳定的增益特性和低失真性能保证了测量结果的准确性。
　　另外，该放大器还可用于无线电天文学、脉冲雷达接收机、电磁兼容（EMC）测试设备以及软件定义无线电（SDR）平台中，作为通用型宽带低噪声放大单元。由于其宽频率覆盖能力和出色的线性指标，VLF-575+ 成为了研发工程师在构建高性能模拟前端时的重要选择之一。

ZFL-500HLN+
　　VLF-575
　　ZX60-2018L-S+
　　GALI-59+