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VJ1812A200JBFAT4X 发布时间 时间:2025/7/8 20:21:17 查看 阅读:14

VJ1812A200JBFAT4X 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片,适用于高频率和高效率的电力电子应用。该型号是 Vishay 公司推出的增强型常关型 GaN 场效应晶体管 (eGaN FET),结合了低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力,使其成为电源管理领域的理想选择。此芯片主要应用于高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器、电机驱动器以及通信设备中的功率放大器。
  VJ1812A200JBFAT4X 的设计旨在减少传统硅基 MOSFET 在高频工作条件下的局限性,通过优化栅极驱动特性,降低开关损耗并提升整体系统性能。

参数

额定电压:650V
  额定电流:200A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:95nC
  输入电容:2250pF
  最大工作温度:175°C
  封装类型:TOLL

特性

VJ1812A200JBFAT4X 具有以下显著特性:
  1. 高效功率密度:得益于其低导通电阻和低开关损耗,使得该器件能够在高频条件下实现更高的功率密度。
  2. 快速开关能力:GaN 技术带来的超低栅极电荷和输出电荷特性,大幅降低了开关损耗,并支持高达几兆赫的工作频率。
  3. 热稳定性:具有良好的高温工作能力,最高结温可达 175°C,确保在恶劣环境下的可靠运行。
  4. 简化电路设计:内置保护功能和优化的寄生参数设计,减少了外部元件的需求,简化了系统设计。
  5. 高可靠性:经过严格的测试与验证流程,具备长期稳定性和高抗干扰能力。

应用

VJ1812A200JBFAT4X 广泛应用于以下领域:
  1. 工业电源:如高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器,用于数据中心服务器、电信基站等高性能需求场景。
  2. 电动汽车 (EV):包括车载充电器 (OBC)、DC/DC 转换器以及牵引逆变器等关键部件。
  3. 消费类电子产品:例如快充适配器、无线充电器等需要高效率和小体积的应用。
  4. 可再生能源:光伏逆变器、风力发电变流器中作为核心功率器件使用。
  5. 电机驱动:用于工业自动化控制中的伺服驱动器及变频器。

替代型号

VJ1812A150JBFAT4X
  VJ1812A250JBFAT4X

VJ1812A200JBFAT4X参数

  • 标准包装1,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列VJ
  • 电容20pF
  • 电压 - 额定2000V(2kV)
  • 容差±5%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用Boardflex 敏感
  • 额定值-
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 尺寸/尺寸0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.086"(2.18mm)
  • 引线间隔-
  • 特点软端子,高电压
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-