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VJ0603D120MXBAJ 发布时间 时间:2025/5/30 18:50:40 查看 阅读:11

VJ0603D120MXBAJ 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件专为高频、高效功率转换应用而设计,适用于开关电源、DC-DC转换器和射频放大器等场景。其封装形式为表面贴装型,能够有效降低寄生电感,从而提高整体性能。
  由于采用增强型结构,该晶体管在导通时需要正向栅极电压,并具备快速开关速度和低导通电阻的特点。

参数

型号:VJ0603D120MXBAJ
  类型:GaN HEMT
  漏源击穿电压:650 V
  最大漏极电流:12 A
  导通电阻:120 mΩ
  栅极阈值电压:1.8~3 V
  工作温度范围:-55℃~+175℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

VJ0603D120MXBAJ 具备以下显著特性:
  1. 高效功率转换能力,支持高达98%以上的效率水平。
  2. 超低导通电阻(Rds(on)),减少传导损耗。
  3. 极快的开关速度,支持MHz级别的开关频率。
  4. 出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能。
  5. 内置ESD保护功能,增强可靠性。
  6. 小型化的封装设计,适合高密度电路板布局。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

该芯片广泛应用于各种高效率功率转换领域,具体包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. 服务器和通信设备中的DC-DC转换模块。
  3. 太阳能逆变器的核心功率元件。
  4. 快速充电适配器中的高频功率开关。
  5. 工业电机驱动和伺服控制系统。
  6. 高频射频放大器及无线能量传输系统。

替代型号

VJ0603D100MXBAJ, VJ0603D150MXBAJ

VJ0603D120MXBAJ参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列VJ HIFREQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-