VJ0603D120MXBAJ 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件专为高频、高效功率转换应用而设计,适用于开关电源、DC-DC转换器和射频放大器等场景。其封装形式为表面贴装型,能够有效降低寄生电感,从而提高整体性能。
由于采用增强型结构,该晶体管在导通时需要正向栅极电压,并具备快速开关速度和低导通电阻的特点。
型号:VJ0603D120MXBAJ
类型:GaN HEMT
漏源击穿电压:650 V
最大漏极电流:12 A
导通电阻:120 mΩ
栅极阈值电压:1.8~3 V
工作温度范围:-55℃~+175℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
VJ0603D120MXBAJ 具备以下显著特性:
1. 高效功率转换能力,支持高达98%以上的效率水平。
2. 超低导通电阻(Rds(on)),减少传导损耗。
3. 极快的开关速度,支持MHz级别的开关频率。
4. 出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能。
5. 内置ESD保护功能,增强可靠性。
6. 小型化的封装设计,适合高密度电路板布局。
7. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
该芯片广泛应用于各种高效率功率转换领域,具体包括:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 服务器和通信设备中的DC-DC转换模块。
3. 太阳能逆变器的核心功率元件。
4. 快速充电适配器中的高频功率开关。
5. 工业电机驱动和伺服控制系统。
6. 高频射频放大器及无线能量传输系统。
VJ0603D100MXBAJ, VJ0603D150MXBAJ