VJ0402D120FLAAP是一款由Vishay生产的高压功率MOSFET器件,属于SiHF系列。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电路中。该型号主要针对电源管理、电机驱动和负载切换等应用领域。
最大漏源电压:1200V
连续漏极电流:2.5A
导通电阻:1.8Ω
栅极电荷:25nC
输入电容:600pF
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220AC
VJ0402D120FLAAP具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:其1200V的额定电压使其非常适合高压应用场景。
2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为1.8Ω,有助于降低功耗并提升效率。
3. 快速开关性能:较小的栅极电荷(25nC)确保了快速的开关速度,减少了开关损耗。
4. 高温稳定性:该器件支持高达175℃的工作结温,适合高温环境下的应用。
5. 强大的散热性能:采用优化的封装设计,增强了散热效果。
6. 符合RoHS标准:该器件符合环保要求,不含任何有害物质。
VJ0402D120FLAAP适用于多种电力电子应用,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备中的高压开关元件。
5. 新能源系统中的逆变器和变换器。
6. 汽车电子系统中的各种高压应用。
7. 不间断电源(UPS)和电池管理系统(BMS)。
VJ0402D120FLAP, SiHF0402D120, IRFPG50