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VJ0402D120FLAAP 发布时间 时间:2025/7/10 19:35:02 查看 阅读:9

VJ0402D120FLAAP是一款由Vishay生产的高压功率MOSFET器件,属于SiHF系列。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电路中。该型号主要针对电源管理、电机驱动和负载切换等应用领域。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:2.5A
  导通电阻:1.8Ω
  栅极电荷:25nC
  输入电容:600pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220AC

特性

VJ0402D120FLAAP具有以下显著特点:
  1. 高耐压能力:其1200V的额定电压使其非常适合高压应用场景。
  2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为1.8Ω,有助于降低功耗并提升效率。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷(25nC)确保了快速的开关速度,减少了开关损耗。
  4. 高温稳定性:该器件支持高达175℃的工作结温,适合高温环境下的应用。
  5. 强大的散热性能:采用优化的封装设计,增强了散热效果。
  6. 符合RoHS标准:该器件符合环保要求,不含任何有害物质。

应用

VJ0402D120FLAAP适用于多种电力电子应用,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 负载切换和保护电路。
  4. 工业自动化设备中的高压开关元件。
  5. 新能源系统中的逆变器和变换器。
  6. 汽车电子系统中的各种高压应用。
  7. 不间断电源(UPS)和电池管理系统(BMS)。

替代型号

VJ0402D120FLAP, SiHF0402D120, IRFPG50

VJ0402D120FLAAP参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列VJ HIFREQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.040" 长 x 0.020" 宽(1.02mm x 0.51mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.61mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-