VJ0402D110MXXAP 是一种高性能的贴片式陶瓷电容器,属于 C0G(NP0)介质类型。该型号采用了多层陶瓷技术(MLCC),具有出色的频率稳定性和温度稳定性,适用于对电气性能要求较高的电路环境。
这类电容器通常用于滤波、耦合、旁路和定时电路等场景。其高可靠性和低ESR特性使其在高频应用中表现优异。
电容值:110pF
额定电压:50V
公差:±5%
介质类型:C0G (NP0)
封装尺寸:0402英寸
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
DC偏压特性:极低影响
频率特性:优秀
ESR:非常低
VJ0402D110MXXAP 采用 C0G 介质,因此它拥有极其稳定的电气特性。即使在宽泛的工作温度范围内,它的电容值变化也极小,温度系数接近于零。此外,该型号具备良好的频率响应,适合高频信号处理。
由于其小型化的 0402 封装,这种电容器非常适合空间受限的设计,并且能够满足现代电子设备对于轻量化和紧凑化的需求。
同时,这款产品还具有卓越的抗振动和抗冲击能力,确保在恶劣环境下依然可以正常工作。这些特点使得 VJ0402D110MXXAP 成为射频模块、无线通信设备以及其他精密模拟电路的理想选择。
该型号电容器广泛应用于需要高精度和高稳定性的场景,例如:
1. 高频振荡电路中的谐振元件
2. 滤波器设计中的关键组件
3. 射频模块中的匹配网络
4. 数据转换器 (ADC/DAC) 的电源去耦
5. 精密时钟电路的负载电容
6. 无线通信系统中的信号耦合与隔离
VJ0402D110MXXAP 凭借其卓越的性能,在航空航天、医疗设备、工业自动化以及消费类电子产品领域都有广泛应用。
VJ0402C110MXXAP
KEMET C0G110X7R0402A110M
TDK C0402C110J5GACTU
Murata GRM033C80J110KA01D