VIKM86M01T 时间：2025/8/10 18:36:40 阅读：28

VIKM86M01T 是 Vishay 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高功率应用场合。该器件采用了先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的效率，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及电池管理系统等应用。VIKM86M01T 采用 TO-263（D2PAK）封装形式，具备良好的散热性能，适合高电流工作条件。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：80A（Tc）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 1.75mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-263（D2PAK）
　　功率耗散（Pd）：200W

特性

VIKM86M01T 功率 MOSFET 采用了 Vishay 先进的沟槽技术，使得其导通电阻极低，从而显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件的高电流承载能力（高达 80A）和优异的热性能，使其非常适合用于高功率密度的设计中。
　　该 MOSFET 支持 ±20V 的栅源电压，使其在驱动电路设计中具备更高的灵活性和稳定性。此外，VIKM86M01T 在高温环境下仍能保持良好的性能，其最大工作温度可达 175°C，适用于工业级和汽车电子应用中常见的恶劣环境。
　　TO-263（D2PAK）封装形式不仅提供了良好的散热能力，还支持表面贴装工艺，提高了 PCB 设计的灵活性和生产效率。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，从而提高整体系统的效率和响应速度。
　　VIKM86M01T 的设计使其能够在高频开关应用中表现优异，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动电路等。其优异的电气性能和可靠性，也使其成为电动汽车、工业自动化、通信电源等高端应用中的理想选择。

应用

VIKM86M01T 主要应用于需要高效率、高电流和低导通电阻的功率电子系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可以显著降低导通损耗，提高转换效率；在电机控制和电池管理系统中，其高电流能力和低 Rds(on) 可以有效减少发热并延长电池续航时间；在工业电源和服务器电源系统中，VIKM86M01T 提供了优异的热稳定性和可靠性，确保长时间运行的稳定性。
　　此外，该 MOSFET 也广泛用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）等，满足 AEC-Q101 汽车级可靠性标准。其高耐压和高电流能力也使其适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及高功率 LED 驱动电路等应用领域。