类型：光耦继电器（PhotoMOS）
　　通道数：1
　　封装形式：SOP-8
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：6 V
　　输出耐压（VDS）：400 V
　　最大负载电流（ID）：200 mA
　　导通电阻（RON）：3.5 Ω（典型值）
　　隔离电压（Viso）：5000 VRMS（1 分钟）
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　最大功耗（PD）：500 mW
　　响应时间（Ton/Toff）：2 ms / 2 ms
　　LED 波长：940 nm

VHRR-8N 具备多项优异的电气与物理特性，使其成为工业级固态开关应用中的理想选择。首先，其高达 5000 VRMS 的输入-输出隔离电压确保了在高压环境下操作的安全性，符合国际安全标准如 UL、CSA 和 VDE 对加强绝缘的要求，适用于医疗设备、电力监控系统等对电气隔离极为敏感的场合。
　　其次，该器件采用双 MOSFET 背对背结构设计，允许其控制交流和直流负载，极大提升了应用灵活性。输出端的最大耐压可达 400 V，可直接用于切换中高压信号或电源线路，无需额外的缓冲电路或继电器级联。同时，其典型的导通电阻仅为 3.5 Ω，这意味着在额定电流下功耗极低，减少了发热问题，提高了能效，并可在密集布局的 PCB 上长期稳定运行。
　　再者，VHRR-8N 的输入驱动兼容 TTL 和 CMOS 逻辑电平，仅需约 5 mA 至 10 mA 的 LED 正向电流即可完全导通，便于与微控制器、FPGA 或数字逻辑电路直接接口，简化了驱动电路设计。其开关响应时间典型值为 2 ms，相较于传统电磁继电器更快且更一致，有助于提高系统的实时响应能力。
　　此外，该器件具有出色的抗振动和抗冲击性能，不受外部磁场干扰，适用于恶劣工业环境。无触点设计避免了传统继电器常见的接触氧化、粘连和弹跳现象，支持数十万次以上的开关寿命，大幅降低维护成本。内置的光电转换机制还提供了良好的噪声抑制能力，增强了系统的电磁兼容性（EMC）。
　　VHRR-8N 还具备良好的热稳定性，在 -40°C 至 +110°C 的宽温度范围内保持性能一致性，适合部署在高温工业现场或低温户外环境中。整体封装符合 RoHS 指令，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造需求。这些综合特性使 VHRR-8N 在可靠性、安全性与集成度之间实现了优秀平衡。

VHRR-8N 广泛应用于需要高隔离、长寿命和高可靠性的电子控制系统中。在工业自动化领域，常用于 PLC（可编程逻辑控制器）模块中的数字输出通道，用于驱动电磁阀、小型电机、指示灯和报警装置等负载。其固态结构特别适合频繁开关操作的场景，避免了传统继电器因机械疲劳导致的故障。
　　在测试与测量设备中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统和程控电源，VHRR-8N 被用作精密信号路由开关，能够安全地切换高阻抗或高电压信号路径，保证测量精度和操作安全。由于其低漏电流和高关断阻抗，也适用于多路复用器和继电器矩阵的设计。
　　在电池管理系统（BMS）和储能系统中，VHRR-8N 可用于电池单元的均衡控制、预充电路切换或状态监测信号隔离，提供可靠的高压隔离保障，防止主控电路受到高压侧影响。此外，在医疗电子设备中，因其符合严格的绝缘安全标准，可用于病人连接设备中的电源隔离和信号切换，确保用户安全。
　　其他应用还包括安防系统中的门禁控制、智能电表中的负载开关、通信设备中的电源管理模块以及新能源逆变器中的辅助电源切换电路。其表面贴装封装形式便于实现小型化设计，适用于空间受限的便携式仪器和高密度 PCB 布局。无论是在高温、高湿还是强电磁干扰的环境中，VHRR-8N 都表现出卓越的稳定性和耐用性，是替代传统电磁继电器的理想选择。

VH3106X,VOM1271,APV1122,PAA221SN