VHR-4N-WGE1 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效能功率晶体管,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用先进的封装工艺,具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升系统效率并减小整体设计尺寸。
其设计注重散热性能和电气稳定性,适合在严苛的工作环境下运行,同时支持高功率密度应用需求。
类型:增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压:600 V
连续漏极电流:25 A
导通电阻:70 mΩ(典型值)
栅极电荷:35 nC(典型值)
开关频率:超过5 MHz
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:WBG Enhanced 8-Lead Surface Mount
VHR-4N-WGE1 的主要优势在于其卓越的电气性能与可靠性:
1. 使用氮化镓材料,实现了比传统硅基MOSFET更低的导通电阻和更快的开关速度,从而减少开关损耗。
2. 高效热管理设计使器件能够在高负载条件下保持稳定运行。
3. 内置ESD保护功能增强了产品的鲁棒性。
4. 小型化封装有效节省了PCB空间,为紧凑型设计提供了便利。
5. 广泛的温度适应能力确保其适用于工业级及汽车级环境。
这款器件适用于多种高性能电力电子应用场景:
1. 高频DC-DC转换器
2. 无线充电设备中的功率传输模块
3. 智能家电的逆变电源单元
4. 电动车辆的牵引逆变器
5. 太阳能微逆变器和储能系统
6. 数据中心服务器供电单元 (PSU) 中的同步整流电路
VHR-4N-WGE2, VHS-5N-WGE1, GAN063-650WSA