VHR-4N-WGE1 时间：2025/6/3 10:15:24 阅读：21

VHR-4N-WGE1 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效能功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用先进的封装工艺，具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统效率并减小整体设计尺寸。
　　其设计注重散热性能和电气稳定性，适合在严苛的工作环境下运行，同时支持高功率密度应用需求。

参数

类型：增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
　　最大漏源电压：600 V
　　连续漏极电流：25 A
　　导通电阻：70 mΩ（典型值）
　　栅极电荷：35 nC（典型值）
　　开关频率：超过5 MHz
　　结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：WBG Enhanced 8-Lead Surface Mount

特性

VHR-4N-WGE1 的主要优势在于其卓越的电气性能与可靠性：
　　1. 使用氮化镓材料，实现了比传统硅基MOSFET更低的导通电阻和更快的开关速度，从而减少开关损耗。
　　2. 高效热管理设计使器件能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　3. 内置ESD保护功能增强了产品的鲁棒性。
　　4. 小型化封装有效节省了PCB空间，为紧凑型设计提供了便利。
　　5. 广泛的温度适应能力确保其适用于工业级及汽车级环境。