VHF36-08I05是一款由Vishay公司生产的高压MOSFET晶体管,广泛应用于高功率电子设备中,如电源转换器、逆变器以及工业电机控制系统。这款MOSFET以其优异的性能和可靠性著称,能够承受较高的电压和电流。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:8A
漏-源极击穿电压:360V
导通电阻:0.45Ω
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220AB
VHF36-08I05具有极低的导通电阻,这使其在高电流应用中表现出色,减少了功率损耗和热量产生。其高耐压特性使得该器件适用于需要承受高电压的电路设计。此外,它具备良好的热稳定性和过载保护能力,确保在严苛工作条件下的可靠性。
该MOSFET采用了先进的平面技术,提供了卓越的开关性能,适用于高频开关应用。其封装设计便于散热,确保长时间工作时的稳定性。
VHF36-08I05常用于电源管理、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器、工业自动化设备以及各种高功率电子系统中。其高可靠性和高效能使其成为工程师设计高性能电路的首选元件。
IRF840, STP8NM50N, FQP8N60C