类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：280V
　　最大漏极电流（ID）：18A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.18Ω（典型值）
　　最大工作频率：可适用于高达数十兆赫兹（MHz）的高频应用
　　封装形式：TO-247或类似高功率封装
　　最大功耗（PD）：约200W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：约4V至6V
　　输入电容（Ciss）：约1500pF（典型值）

VHF28-18IO5具有多项优异的电气和热性能，适用于各种高要求的功率电子系统。首先，其高击穿电压能力（280V）使其适用于高压应用，例如高压电源和射频功率放大器。其次，该MOSFET的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，VHF28-18IO5在高频条件下仍能保持良好的性能，使其适用于射频放大器和其他高频电路。其较低的输入电容（Ciss）有助于减少开关损耗，提高响应速度。同时，该器件具有良好的热稳定性，能够有效地散热，确保长时间运行的可靠性。
　　该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态高压条件下保持稳定，减少损坏的风险。这使其适用于工作环境较为恶劣的工业应用，如焊接设备、感应加热和等离子发生装置等。

VHF28-18IO5广泛应用于需要高压、高频和高功率密度的电子系统中。其中，最典型的应用是射频功率放大器，用于通信系统、广播发射设备和工业射频加热装置。此外，该器件也常用于高压直流电源、功率因数校正（PFC）电路和开关电源（SMPS）中。
　　由于其高耐压能力和低导通电阻，VHF28-18IO5也适用于工业设备中的高功率开关电路，如高频感应加热、等离子切割和高压电机驱动系统。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的能量转换和可靠的运行性能。
　　另外，VHF28-18IO5还可用于脉冲功率系统，如激光电源和电容充电电路，其中需要快速开关和高能量密度的功率器件。其良好的高频特性和热稳定性使其成为这些应用的理想选择。

IXFH28N180P, IXYS
　　STW28NM50NDG, STMicroelectronics
　　IRF2807PBF, Infineon