类型：N沟道JFET
　　封装：TO-92
　　最大漏极电流（ID）：10mA
　　最大漏极-源极电压（VDS）：25V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：-25V
　　最大功耗：300mW
　　截止频率（fT）：100MHz
　　噪声系数（NF）：1.5dB（典型值）
　　跨导（Gm）：2000μS（最小值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

VHF28-02IO5 是一款专为高频应用设计的 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），其性能特点使其在射频和模拟电路中表现出色。首先，该器件具有较低的噪声系数，典型值为 1.5dB，非常适合用于前端放大器和低噪声放大器（LNA）电路，以提高系统的信号接收灵敏度。其次，VHF28-02IO5 的跨导（Gm）最低为 2000μS，确保了高增益特性，使其在小信号放大中具有优异的表现。
　　该晶体管的最大漏极电流为 10mA，最大漏极-源极电压为 25V，具有较高的电压耐受能力，适合多种低压电源应用场景。其 TO-92 封装形式小巧且便于安装，适用于印刷电路板（PCB）的高密度布局。此外，该器件的截止频率（fT）为 100MHz，确保其在甚高频（VHF）和超高频（UHF）波段中具有良好的响应特性。
　　由于其硅栅极结构和稳定的制造工艺，VHF28-02IO5 在宽温度范围内（-55°C 至 +150°C）均能保持稳定的工作性能，适合用于工业级和军用级电子设备。同时，该晶体管具有良好的线性度和低失真特性，适用于射频混频器、振荡器和调制解调电路等应用场景。

VHF28-02IO5 主要应用于射频和模拟信号处理领域，特别是在低噪声放大器（LNA）、射频前置放大器、混频器和振荡器电路中表现优异。该器件广泛用于无线通信系统、VHF/UHF 接收机、业余无线电设备、测试仪器和射频信号调理电路中。其低噪声系数和高增益特性使其成为高性能通信设备前端电路的理想选择。此外，该晶体管还可用于音频放大器、模拟开关和传感器信号调理电路中，提供稳定的小信号放大性能。

2N5457, J310, BF245C