类型：功率MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：25A
　　工作频率范围：30MHz - 300MHz
　　最大功率耗散：200W
　　封装类型：TO-247
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω
　　栅极电荷（Qg）：50nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

VHF25-06IO7具有多项显著的技术特性，使其在高频功率应用中表现出色。首先，该器件的工作频率范围覆盖30MHz至300MHz，适用于甚高频段的功率放大和能量转换。其低导通电阻（RDS(on)）为0.18Ω，确保了在高电流下具有较低的功率损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET具备较高的电流处理能力，最大漏极电流可达25A，适用于需要大功率输出的场合。
　　该器件的最大漏源电压为60V，能够在中等电压下稳定工作，适用于多种电源拓扑结构。VHF25-06IO7的最大功率耗散为200W，结合其优异的热管理能力，能够在高温环境下保持良好的性能。栅极电荷（Qg）为50nC，有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而进一步提升效率。
　　采用TO-247封装形式，VHF25-06IO7提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级应用环境。其工作温度范围为-55°C至+150°C，确保了在极端温度条件下的可靠运行。此外，该MOSFET具有良好的抗过载和短路能力，能够在突发条件下保持稳定，提高系统的安全性和稳定性。

VHF25-06IO7广泛应用于需要高频功率处理能力的电子系统中。最常见的是用于通信设备中的射频功率放大器，如广播发射机、无线基站和卫星通信系统。在工业领域，该器件可用于射频加热和等离子体发生器，提供高效稳定的能量转换。此外，在医疗设备中，如MRI（磁共振成像）系统中的射频放大器，VHF25-06IO7也能发挥重要作用。
　　由于其优异的开关特性和高功率处理能力，该MOSFET也常用于高频逆变器、电源转换器和DC-AC变换器。在测试设备和测量仪器中，VHF25-06IO7可用于构建高精度的信号放大和处理电路。同时，其良好的热稳定性和抗干扰能力，使其适用于恶劣环境下的长期运行。

IXYS IXFH25N60P
　　STMicroelectronics STD25N60DM2
　　Infineon IPP25N60S5-03