时间：2025/5/14 19:01:25
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VHF201209H36NJT是一款高性能的功率MOSFET器件，主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并降低能耗。
其封装形式为TO-220，适合高电流密度应用场合，并且具备良好的散热性能。VHF201209H36NJT在工业控制、消费电子以及通信设备中有着广泛的应用。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：12A
栅极阈值电压：4V
导通电阻（典型值）：0.3Ω
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压设计，支持高达600V的工作环境。
2. 极低的导通电阻，减少传导损耗，提升整体效率。
3. 快速开关速度，降低开关损耗，适用于高频应用场景。
4. 内置ESD保护电路，增强器件的可靠性。
5. 良好的热稳定性和耐用性，确保长期使用下的性能一致性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关管或同步整流管。
2. 工业电机驱动及逆变器控制。
3. DC-DC转换器中的功率开关。
4. 充电器及适配器中的功率调节元件。
5. 各类消费类电子产品中的高压负载切换。
6. 电池管理系统中的保护开关。
VHF201209H36NJS, IRF840, STP12NM60
