时间：2025/4/30 17:50:45
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VHF201209H1N8ST是一款高性能的功率MOSFET晶体管，采用TO-263（D-PAK）封装形式。该器件主要适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。其设计注重高效能与低导通电阻的特点，能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
该器件具有高雪崩能力，可有效应对电路中的瞬态电压冲击，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，从而优化了开关损耗并提升了整体效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：45A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：28nC
总电容：1750pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，确保了高效的功率传输，并减少了导通损耗。
2. 快速开关速度，得益于低栅极电荷Qg和输出电容Coss，适合高频应用场景。
3. 高雪崩击穿能量（EAS）能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的严格要求。
5. 封装形式紧凑，节省PCB空间，同时具备良好的散热性能。
1. 开关电源（SMPS）设计中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中作为主开关或续流二极管替代方案。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 工业控制及汽车电子领域的功率管理模块。
VHF201209H1N8SL, VHF201209H1N8SJ
