时间：2025/6/11 19:27:55
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VHF100505HQ1N1ST 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高频功率晶体管，专为射频和微波应用设计。该器件采用先进的封装技术，能够提供卓越的高频性能和高输出功率，适用于通信系统、雷达设备以及测试与测量仪器等场景。
这款晶体管具有低寄生电感和高效率的特点，支持高频率下的线性操作，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
型号：VHF100505HQ1N1ST
类型：GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）
工作频率范围：2 GHz 至 18 GHz
输出功率：30 dBm 典型值
增益：10 dB 典型值
电源电压：28 V
最大漏极电流：4 A
封装形式：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 +105°C
VHF100505HQ1N1ST 的主要特性包括：
1. 基于氮化镓技术，提供了卓越的高频性能和高功率密度。
2. 工作频率范围宽，覆盖从 2 GHz 到 18 GHz，适合多种射频应用。
3. 高输出功率，典型值达到 30 dBm，确保信号强度。
4. 优秀的线性度表现，能够在高频率下保持稳定的增益。
5. 封装设计紧凑，适用于空间受限的应用环境。
6. 良好的热管理和可靠性，满足严苛的工作条件要求。
7. 稳定的电气性能，即使在极端温度范围内也能保持一致性。
VHF100505HQ1N1ST 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器设计，用于无线通信基站。
2. 微波点对点通信系统中的功率模块。
3. 军用雷达设备和卫星通信系统。
4. 测试与测量仪器中的高性能信号源。
5. 医疗成像设备和其他需要高频率和高功率的应用。
由于其高频特性和高功率能力，该晶体管非常适合需要高效能量转换和信号放大的场景。
VHF100505HJ2N1ST
VHF100505HQ1N2ST
VHF100505HK1N1ST
