VGF0136AB 时间：2025/8/6 0:22:08 阅读：8

VGF0136AB 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，适用于各种电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场景。VGF0136AB 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性，能够在苛刻的工作条件下保持稳定性能。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.3A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：136mΩ（最大值，典型值 100mΩ）
　　功耗（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-223
　　工艺技术：沟槽式 MOSFET 技术

特性

VGF0136AB 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其漏源电压为 30V，适用于中低电压电源转换应用。该器件支持高达 4.3A 的连续漏极电流，在高温环境下仍能保持良好的性能。
　　VGF0136AB 的栅源电压范围为 ±20V，具备良好的抗过压能力，能够有效防止因栅极电压波动而导致的损坏。其封装形式为 SOT-223，具有良好的散热性能，适用于紧凑型 PCB 设计。此外，该器件的功耗较低（1.4W），可在高温环境下稳定运行。
　　该 MOSFET 具有优异的热稳定性和可靠性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。其沟槽式结构设计不仅降低了导通电阻，还提升了开关速度，使其在高频开关应用中表现出色。

应用

VGF0136AB 主要用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达控制、电池管理系统和电源管理模块等应用。由于其低导通电阻和高效率特性，特别适用于便携式电子设备、汽车电子系统、工业控制设备和通信电源等领域。
　　在电源管理应用中，VGF0136AB 可用于高效能的同步整流电路，提高转换效率，降低功耗。在马达控制方面，该器件可用于 H 桥驱动电路，实现电机的正反转控制。此外，它还可用于电池充电和放电管理电路，确保电池在安全范围内工作。
　　在汽车电子系统中，VGF0136AB 可用于车载电源转换器、LED 照明驱动器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等应用，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的要求。