VG26VS18165CT 时间：2025/8/20 7:27:02 阅读：6

VG26VS18165CT是一款高压、高频MOSFET功率晶体管，广泛应用于电力电子变换器、电机驱动和电源管理等领域。该器件采用了先进的硅工艺技术，具备高击穿电压和低导通电阻的特点，适合在高频率和高效率要求的应用中使用。

参数

类型：MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大漏极电流(Id)：26A
　　导通电阻(Rds(on))：0.18Ω
　　最大功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极电荷(Qg)：75nC
　　最大栅极电压(Vgs)：±20V
　　漏源击穿电压(BVdss)：650V

特性

VG26VS18165CT的主要特性包括高耐压能力，适用于需要高电压隔离和稳定性的应用。其低导通电阻可以有效减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的高频响应能力使其在开关电源和逆变器等高频应用中表现出色。采用TO-247封装形式，具有良好的散热性能，确保在高负载条件下的可靠性。
　　该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。其栅极驱动设计简单，可兼容常见的驱动电路，从而简化了设计和集成过程。此外，器件的开关损耗较低，有助于提高整体能效并减少发热问题。
　　在实际应用中，VG26VS18165CT能够在恶劣环境下稳定运行，具备较强的抗干扰能力和长期可靠性。这使其成为工业自动化、电动汽车充电设备、太阳能逆变器等高性能电力电子系统的理想选择。