类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　最大重复反向电压（VRRM）：150V
　　平均整流电流（IO）：1.5A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半正弦波）
　　正向压降（VF）：典型值0.875V（在1.5A, TJ=25°C条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：200μA（在150V, TJ=25°C）；10mA（在150V, TJ=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约83.3°C/W（在FR-4 PCB上，1平方英寸铜箔）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

VF15DM3-TL-E的核心优势在于其优化的肖特基势垒结构，能够在保持较高反向耐压的同时实现较低的正向导通压降。这一特性使其在中等电压等级的应用中表现出色，尤其是在需要高效能量转换的场合。在1.5A的工作电流下，其典型正向压降仅为0.875V，显著低于传统快恢复二极管，从而大幅减少了导通损耗，提升了系统效率。同时，由于肖特基二极管本身为多数载流子器件，不存在少子存储效应，因此具有极快的反向恢复速度，几乎为零的反向恢复时间（trr），避免了开关过程中的能量损耗和电磁干扰问题，特别适合高频开关电源应用。
　　该器件具备良好的热性能和长期可靠性。其SMA封装采用铜合金引线框架，具有优异的导热性和机械强度，有助于将芯片产生的热量迅速传导至PCB，提高散热效率。在标准FR-4板上，其热阻RθJA约为83.3°C/W，意味着在1.5A连续电流下，功耗约为1.3W，温升可控，确保长期稳定运行。此外，器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环试验，保证在恶劣环境下的耐用性。
　　VF15DM3-TL-E还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达30A的峰值浪涌电流（8.3ms单半正弦波），这使得其在面对输入端瞬态冲击或启动电流时仍能保持安全运行，提高了系统的容错能力。其反向漏电流在高温下虽有所增加，但在150V反向电压和125°C结温条件下仍控制在10mA以内，属于同类产品中的优良水平。综合来看，VF15DM3-TL-E在效率、可靠性和热管理方面达到了良好平衡，是现代高密度电源设计中的理想选择之一。

VF15DM3-TL-E广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效率和小体积设计的场合。其主要应用场景包括直流-直流（DC-DC）转换器中的输出整流二极管，特别是在隔离型反激式电源中作为次级侧整流元件，利用其低正向压降减少导通损耗，提升整体转换效率。此外，在同步整流架构尚未普及或成本受限的设计中，该二极管可作为理想的替代方案，提供接近同步整流的性能表现。
　　在消费类电子产品中，如智能手机充电器、笔记本电脑适配器、平板电源模块等，VF15DM3-TL-E因其小型SMA封装和高可靠性被广泛采用。其表面贴装形式适合自动化生产，有利于提高组装效率和产品一致性。在通信设备中，如路由器、交换机和基站电源模块，该器件用于辅助电源或隔离电源的整流环节，保障系统稳定运行。
　　工业控制和自动化设备中的开关电源、LED驱动电源以及便携式医疗设备也是其典型应用领域。在这些应用中，电源效率、散热性能和长期稳定性至关重要，而VF15DM3-TL-E恰好满足这些需求。此外，该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源和电池管理系统中的保护电路，作为防反接或箝位二极管使用，防止电流倒灌损坏敏感元器件。
　　由于其宽泛的工作温度范围和良好的环境适应性，VF15DM3-TL-E也适用于汽车电子中的非动力域电源系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块等，在高温环境下依然能保持稳定性能。总之，凡是在150V以下需要高效、快速、可靠的整流功能的场合，VF15DM3-TL-E都是一种成熟且经济的选择。

MBR160VSFT3G
　　SB10150SP5
　　VS-1.5KE150A